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新型微电子器件及IC 　　从七十年代开始，SiVHSIC进入其全盛时期，197〇年出现1k位的DRAM，到I.979年研制成功了64kDRAM，从而进入VILSI时代。进入八十年代后进展更为迅速，现已突破4M大关，到本世纪末，将可能出现1G位DRAM。在逻辑电路方面，八十年代末期SiECL已实现80ps的门时延(1.5万门)，将来有可能降到40?5〇ps。目前，门阵列的集成规模已达5万门。还用SiECL研制成了32位CISC和64位RISC微机。MOS电路也取得了迅速的发展，预测到九十年代末，集成规模将超过250万门/芯片。 　　在微波应用方面，硅微波低噪声器件在七十年代进入X波段后，便处于接近极限水平状态，而功率器件直到八十年代初期，在L和S波段仍迅速发展，在C波段乃至X波段，则受到GaAsMESFET的挑战而失去了大部分阵地。尽管如此，在6GHz以下的信号放大和18GHz以下的振荡应用中，仍为可用的微波器件之一。 　　HEMT是迄今已开发成功的最有希望的微波和高速器件之一。它采用i-GaAs/n-AlGaAs调制渗杂结构，在i-GaAs层中形成2DEG沟道，由于它与电子供给层(n-AlGaAs)在空间上是分开的，消除了离化施主杂质的散射，故能显著提高电子迁移率，并因而得名。值得注意的是，它可以在非常薄的沟道中，获得很高的薄层载流子密度，且栅与2DEG沟道距离短，易于