solgel法制备lanio3bi4ti3o12异质薄膜及性能研究-study on preparation and properties of lani o3 bi 4ti i3 o2 heterogeneous films by sol gel method.docxVIP

摘要铁酸钝(B问Th012)是具有钙铁矿结构的铁电材料，它在铁电、介电等方面的 性能十分优良，因此经常被广泛应用于军事、航空、微电子等领域。比如可以 用铁酸钝薄膜来制作微型电容器、灵敏探测器等。本文主要是利用榕胶-凝胶法 (801幽Gel)来制备具有缓冲层结构的铁酸锦叠层薄膜，并探讨由于引入银酸锵 薄膜作为缓冲层对钦酸锦薄膜性能的影响。在制备样品的过程中，首先用匀胶机在单晶磁片上旋镀镰酸锅薄膜，然后在烧制好的镰酸制薄膜上用向样的方法 旋镀铁酸锦薄膜，从而制备出具有叠层结构的La Ni03 / B?4Th012 薄膜。整个论 文罔绕二个方面进行阐述，具体如下:第一，探讨利用溶胶凝胶法制备叠层钦酸钝薄膜的最佳工艺技术，主要是 根据在实验过程中所出现的问题对该技术进行最优化处理。比如，在镀膜的过 程中，通过观察所表现出的各种物理特征，及时的调整工艺参数，从而保证在 不同的环境下都能够制备出具有高质景的铁电薄膜。第二，对采用此方法所制备出来的薄膜样品进行微观结构的测试分析。一 方面，通过 X Pert PRO 型》射线衍射仪对薄膜样品进行测试，并根据样品的 衍射图谱所反映出来的信息，分析退火温度对薄膜内部晶粒生长趋势的影响。另一个方面，利用场发射扫描电子显微镜 OSM- 6700F 型)对薄膜样品内部晶 粒的微观形貌及其薄膜的厚度进行测量分析。通过观察显微图像发现，样品中 晶粒的尺寸随着退火温度的增加出现淄渐长大的趋势。问时综合两方面的测试 结果可以得出，锦酸制薄膜的引入在某种程度上改变了钦酸憾晶粒生长的取向特性，并在一定程度上降低了铁酸储薄膜与单晶硅衬底的品格失配度，从而布 效的减少了薄膜中的热应力和残余应力，在很大程度上缓解了制备薄膜样品容 易出现裂纹的问题。第二，对采用此方法所制备出来的薄膜样品进行一些铁电和介电性能方面 的测试分析。在此，我们选用经过 700.C环境下退火处理所获得的薄膜样品作为 测试对象，把它制作成平行板结构的电容器，然后对其进行介电频晌特性和电 滞回线等性能的测试，并根据所测得的数据分析了薄膜样品的介质损耗情况、 剩余极化与迫火温度之间的关系。通过对样品介电频响特性测量的数据可以看 出，在 4阳IZ 低频状态下薄膜的介电损耗比较大，也就是说在 4阳IZ 前后出现了介电损税先急剧的增加后又很快减小的介电驰豫。对电滞困线进行分析可以知道，此薄膜样品的回线矩形度良好，在测试电应为 6kv/侃}2 的时候，薄膜的剩 余极化的值保持在 8.9μc/ cm2左右，薄膜的矫顽场电压大约保持在1.9Vo 同时 还根据测试的结果分析了退火温度的变化对薄膜的剩余极化强度和矫顽场的影 响。关键词: LaNi03 /B4ThOl2 薄膜溶胶…凝胶法 (Sol Gel)铁咆性能11 ………~…二三-斗千Abs衍actAbstractBi4Th012 is a ferrOelectric material with perOvskite struc阳re. Bωause its ferrOelectric，dielectric and 0伽er 础pects Of perfOnnance is sup时iOr，it is Often widely used in military，a町ospace，micrOelec衍Onics and Oth町负elds. Such as bismuth titan ate thin films can be used tO create micrO-capacitOrs，sensitive detectOrs and Otherdevices. In由is 由esis we prep盯ed B4Th012 thin film with a buffer layer and investigated the effect Of nickel-lanthanum titan ate thin films as the buffer layer On theprOp即ties Of the B4Th012 film. A mOdified sOl-gel (SOl-Gel) methOd was used tO prl are the film. In the pr叩aratiOn Of the laminated film，自rstl弘 nickel lanthanumOxide buffer layer was spin ωated On the αystal silicon substrate，and then On thebaked buffer lay町 LaNi03 / B4ThOl2 film w脑 made ωfOnn film with a laminated struc