湖南大学微电子电路期末常考题,老师给结型.ppt

场效应晶体管于1925年由Julius Edgar Lilienfeld和于1934年由Oskar Heil分别发明 实用的器件一直到1952年才被制造出来（结型场效应管，Junction-FET，JFET）。 1960年Dawan Kahng发明了金属氧化物半导体场效应晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-effect transistor, MOSFET），从而大部分代替了JFET，对电子行业的发展有着深远的意义。 场效应半导体三极管是仅由一种载流子参与导电的半导体器件，是一种用输入电压控制输出电流的的半导体器件。从参与导电的载流子来划分，它有电子作为载流子的N沟道器件和空穴作为载流子的P沟道器件。 2.5.1 结型场效应三极管 结构 它是在N型半导体硅片的两侧扩散高浓度P离子区，形成两个PN结夹着一个N型沟道的结构。 P区即为栅极，N型硅的一端是漏极，另一端是源极。 一、结型场效应三极管的工作原理 根据结型场效应三极管的结构，只能工作在反偏的条件下， N沟道结型场效应三极管只能工作在负栅压（uGS0）区， P沟道的只能工作在正栅压区，否则将会出现栅流。 同时uDS0，实现栅源电压对漏极电流的控制。 现以N沟道为例说明其工作原理。 1、栅源电压对沟道的控制作用 uDS=0，uGS对导电沟道的控制： uGS=0，导电沟道宽； uGS0，PN结反偏，形成耗尽层，沟道将变窄，ID减小，uGS继续减小，沟道继续变窄，ID继续减小直至为0。 漏极电流为0时，沟道消失，所对应的栅源电压uGS称为夹断电压UGS(off)。 2、漏源电压对沟道的控制作用 当uDS增加，uGD反偏电压增加，沟道电阻取决于（栅源电压一定）uGS，iD随uDS线性增大，漏源间呈电阻特性。 （负值）uGD=（负值）U GS(off)时，靠漏极处出现预夹断，如图 (b)所示。当uDS继续增加，漏极处的夹断继续向源极方向生长延长。 （负值）uGD （负值）U GS(off)时，沟道夹断使iD减小；漏源间电场使iD增大。 则uDS变化iD几乎不变，只与uGS有关。恒流特性。 JFET的特性曲线有两条，一是转移特性曲线， 二是输出特性曲线。它与MOSFET的特性曲线基本 相同， MOSFET的栅压可正、可负， 结型场效应三极管的栅压只能是P沟道的为正或N沟道的为负。 场效应管与三极管的各自应用特点 1.场效应管的源极s、栅极g、漏极d分别对应于三极管的发射极e、基极b、集电极c，它们的作用相似。 2.场效应管是电压控制电流器件，由vGS控制iD，其放大系数gm一般较小，因此场效应管的放大能力较差；三极管是电流控制电流器件，由iB（或iE）控制iC。 3.场效应管栅极几乎不取电流；而三极管工作时基极总要吸取一定的电流。因此场效应管的输入电阻比三极管的输入电阻高。 4.场效应管只有多子参与导电；三极管有多子和少子两种载流子参与导电，而少子浓度受温度、辐射等因素影响较大，因而场效应管比晶体管的温度稳定性好、抗辐射能力强。在环境条件（温度等）变化很大的情况下应选用场效应管。 场效应管与三极管的各自应用特点 5.场效应管在源极与衬底连在一起时，源极和漏极可以互换使用，且特性变化不大；而三极管的集电极与发射极互换使用时，其特性差异很大，b值将减小很多。 6.场效应管的噪声系数很小，在低噪声放大电路的输入级及要求信噪比较高的电路中要选用场效应管。 7.场效应管和三极管均可组成各种放大电路和开路电路，但由于前者制造工艺简单，且具有耗电少，热稳定性好，工作电源电压范围宽等优点，因而被广泛用于大规模和超大规模集成电路中。 8.三极管导通电阻大，场效应管导通电阻小，只有几百毫欧姆，在现在的用电器件上，一般都用场效应管做开关来用，他的效率是比较高的。 2.5.1 结型场效应管 2.5.3 场效应管的主要参数 2.5.4 场效应管与晶体管的比较 2.5.2 绝缘栅型场效应管 从场效应三极管的结构来划分，它有两大类。 1.结型场效应三极管JFET (Junction type Field Effect Transister) 2.绝缘栅型场效应三极管IGFET