直流脉宽调制控制开关稳压电源设计.docVIP

概述 1.1 该课题目前在国内外的发展现状及趋势 从八十年代末起，工程师们为了缩小DC/DC变换器的体积，提高功率密度，首先从大幅度提高开关电源的工作频率做起，但这种努力结果是大幅度缩小了体积，却降低了效率。发热增多，体积缩小，难过高温关。因为当时MOSFET的开关速度还不够快，大幅提高频率使MOSFET的开关损耗驱动损耗大幅度增加。工程师们开始研究各种避开开关损耗的软开关技术。虽然技术模式百花齐放，然而从工程实用角度仅有两项是开发成功且一直延续到现在。一项是VICOR公司的有源箝位ZVS软开关技术；另一项就是九十年代初诞生的全桥移相ZVS软开关技术。 有源箝位技术历经三代，且都申报了专利。第一代系美国VICOR公司的有源箝位ZVS技术，其专利已经于2002年2月到期。VICOR公司利用该技术，配合磁元件，将DC/DC的工作频率提高到1MHZ，功率密度接近200W/in3，然而其转换效率却始终没有超过90%，主要原因在于MOSFET的损耗不仅有开关损耗，还有导通损耗和驱动损耗。特别是驱动损耗随工作频率的上升也大幅度增加，而且因1MHZ频率之下不易采用同步整流技术，其效率是无法再提高的。因此，其转换效率始终没有突破90%大关。 为了降低第一代有源箝位技术的成本，IPD公司申报了第二代有源箝位技术专利。它采用P沟MOSFET在变压器二次侧用于 forward电路拓朴的有源箝位。这使产品成本减低很多。但这种方法形成的MOSFET的零电压开关（ZVS）边界条件较窄，在全工作条件范围内效率的提升不如第一代有源箝位技术，而且PMOS工作频率也不理想。为了让磁能在磁芯复位时不白白消耗掉，一位美籍华人工程师于2001年申请了第三代有源箝位技术专利，并获准。其特点是在第二代有源箝位的基础上将磁芯复位时释放出的能量转送至负载。所以实现了更高的转换效率。它共有三个电路方案：其中一个方案可以采用N沟MOSFET。因而工作频率较高，采用该技术可以将ZVS软开关、同步整流技术、磁能转换都结合在一起，因而它实现了高达92%的效率及250W/in3以上的功率密度 1.2该课题的特点与工程实际意义 电力电子及开关电源技术因应用需求不断向前发展,新技术的出现又会使许 多应用产品更新换代,还会开拓更多更新的应用领域。开关电源高频化、模块化、 数字化、绿色化等的实现,将标志着这些技术的成熟,实现高效率用电和高品质用 电相结合。伴随着人们对开关电源的进一步升级，低电压，大电流和高效率的开 关电源成为研究趋势。电子设备的小型化和低成本化使电源向轻，薄，小和高效 率方向发展。开关电源因其体积小，重量轻和效率高的优点而在各种电子信息设 备中得到广泛的应用。 直流斩波电路（DC Chopper）的功能是将直流电变为另一固定电压或可调电 压的直流电，也称为直接直流—直流变换器（DC/DC Converter）。直流斩波电路 一般是指直接将直流电变为另一直流电的情况，不包括直流—交流—直流的情 况，直流斩波电路的种类较多，包括6种基本斩波电路：降压斩波电路，升压斩 波电路，升降压斩波电路，Cuk斩波电路，Sepic斩波电路和Zeta斩波电路。 其中IGBT降压斩波电路就是直流斩波中最基本的一种电路，是用IGBT 作为全控型器件的降压斩波电路，用于直流到直流的降压变换。IGBT是MOSFET 与GTR的复合器件。它既有MOSFET易驱动的特点，输入阻抗高，又具有功率晶 体管电压、电流容量大等优点。其频率特性介于MOSFET与功率晶体管之间，可 正常工作于几十千赫兹频率范围内，故在较高频率的大、中功率应用中占据了主 导地位。所以用IGBT作为全控型器件的降压斩波电路就有了IGBT易驱动，电压、 电流容量大的优点，因此发展很快。 直流降压斩波电路主要分为三个部分，分别为主电路模块，控制电路模块， 驱动电路模块，除了上述主要模块之外，还必须考虑电路中电力电子器件的保护， 以及控制电路与主电路的电气隔离。IGBT降压斩波电路由于易驱动，电压、电 流容量大在电力电子技术应用领域中有广阔的发展前景，也由于开关电源向低电 压，大电流和高效率发展的趋势，促进了IGBT降压斩波电路的发展。但以 IGBT 为功率器件的直流斩波电路在实际应用中需要注意以下问题: （1）系统损耗的问； （2）栅极电阻； （3）驱动电路实现过流过压保护的问题。此斩波电路中IGBT的驱 动信号由集成脉宽调制控制器SG3525产生，由于它简单可靠及使用方便灵活， 大大简化了脉宽调制器的设计及调试。 第二章 系统总体方案 系统总体方案的确定 2.1．1 系统总体方案 这个课题主要是利用降压斩波电路把输入电压调低后输出，关键取决于控制电路用什么方式控制，现在有单片机和芯片控制两种方案，最终还是决定用SG352芯