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电力电子技术课后习题答案缩印版 导读：就爱阅读网友为您分享以下“电力电子技术课后习题答案缩印版”资讯，希望对您有所帮助，感谢您对92的支持! 第一章 电力电子器件 1.1 使晶闸管导通的条件是什么？ 答：使晶闸管导通的条件是：晶闸管承受正相阳极电压，并在门极施加触发电流（脉冲）。或者U AK 0且U GK 0 1.2 维持晶闸管导通的条件是什么？怎样才能使晶闸管由导通变为关断？ 答：维持晶闸管导通的条件是使晶闸管的电流大于能保持晶闸管导通的最小电流，即维持电流。 1.6. 如何防止电力MOSFET 因静电感应应起的损坏? 答：电力MOSFET 的栅极绝缘层很薄弱，容易被击穿而损坏。MOSFET 的输入电容是低泄漏电容，当栅极开路时极易受静电干扰而充上超过±20的击穿电压，所以为防止MOSFET 因静电感应而引起的损坏，应注意以下几点： 一般在不用时将其三个电极短接； 装配时人体、工作台、电烙铁必须接地，测试时所有仪器外壳必须接地； 电路中，栅、源极间常并联齐纳二极管以防止电压过高； 漏、源极间也要采取缓冲电路等措施吸收过电压。 1.7.IGBT 、GTR 、GTO 和电力MOSFET 的驱动电路各有什么特点? 答：IGBT 驱动电路的特点是:驱动电路具有较小的输出电阻，GBT 是电压驱动型器件，IGBT 的驱动多采用专用的混合集成驱动器。 GTR 驱动电路的特点是：驱动电路提供的驱动电流有足够陡的前沿，并有一定的过冲，这样可加速开通过程，减小开通损耗；关断时，驱动电路能提供幅值足够大的反向基极驱动电流，并加反偏截止电压，以加速关断速度。 GTO 驱动电路的特点是：GTO 要求其驱动电路提供的驱动电流的前沿应有足够的幅值和陡度，且一般需要在整个导通期间施加正门极电流，关断需施加负门极电流，幅值和陡度要求更高，其驱动电路通常包括开通驱动电路，关断驱动电路和门极反偏电路三部分。 电力MOSFET 驱动电路的特点：要求驱动电路具有较小的输入电阻，驱动功率小且电路简单。 1.8. 全控型器件的缓冲电路的主要作用是什么? 试分析RCD 缓冲电路中各元件的作用。 答：全控型器件缓冲电路的主要作用是抑制器件的内因过电压，du/dt或过电流和di/dt,，减小器件的开关损耗。 RCD 缓冲电路中，各元件的作用是：开通时，Cs 经Rs 放电，Rs 起到限制放电电流的作用；关断时，负载电流经VDs 从Cs 分流，使du/dt减小，抑制过电压。 1.9. 试说明IGBT 、GTR 、GTO 和电力MOSFET 各自的优缺点。 解:对GBT 、GTR 、GTO 和电力MOSFET 的优缺点的比较如下表： 答：晶闸管的额定电流就是它的通态平均电流，国标规定：是晶闸管在环境温度为40和规定的冷却状态下，稳定结温不超过额定结温所允许的最大工频正弦半波电流的平均值。 1.11为什么要限制晶闸管断电电压上升律du/dt? 答：正向电压在阻断状态下，反向结J 2相当的一个电容加在晶闸管两端电压上升率过大，就会有过大的充电电流，此电流流 过J 3，起到触发电流的作用，易使晶闸管误触发，所以要限制du/dt。 1.12．为什么要限制晶闸管导通电流上升率di/dt? 答：在晶闸管导通开始时刻，若电流上升过快，会有较大的电流集中在门集附近的小区域内，虽然平均电流没有超过额定值，但在小的区域内局部过热而损坏了晶闸管，所以要限制通态di/dt。 1.13电力电子器件工作时产生过电压的原因及防止措施有哪些？ 答：产生原因： 1、由分闸、合闸产生的操作过电压； 2、雷击引起的雷击过电压； 3、晶闸管或与全控型器件反并联的续流二极管换相过程中产生的换相电压。 措施： 压敏电阻，交流侧RC 抑制电路，直流侧RC 控制电路，直流侧RC 抑制电路，变压器屏蔽层，避雷器，器件关断过电压RC 抑制电路。 第2章 整流电路 2.8. 三相半波整流电路，可以将整流变压器的二次绕组分为两段成为曲折接法，每段的电动势相同，其分段布置及其矢量如图所示，此时线圈的绕组增加了一些，铜的用料约增加10%，问变压器铁心是否被直流磁化，为什么? 答：变压器铁心不会被直流磁化。原因如下： 变压器二次绕组在一个周期内，当a 1c 2对应的晶闸管导通时，a l 的电流向下流，c 3的电流向上流；当c l b 2对应的晶闸管导通时，c l 的电流向下流，b 2的电流向上流；当b l a 2对应的晶闸管导通时，b l 的电流向下流，a 2的电流向上流；就变压器的一次绕组而言，每一周期中有两段时间(各为120) 有电流流过，流过的电流大小相等而方向相反，故一周期内流过的电流平均值为零，所以变压器铁心不会被直流磁化。 12. 在三相桥式全控整流电路中，电阻负载，如果有一个晶闸管不能导通，此时的整流电压U d 波