MCS51单片机外部扩展技术.pptx

第7章 MCS-51单片机的外部扩展技术（一）;单片机中虽然已经集成了CPU、I/O口、定时器、中断系统、存储器等计算机的基本部件（即系统资源），但是对一些较复杂应用系统来说有时感到以上资源中的一种或几种不够用，这就需要在单片机芯片外加相应的芯片、电路，使得有关功能得以扩充，我们称为系统扩展。 MCS-51单片机系统扩展主要包括外部并行系统总线、外部存储器、外部I/O接口、外部中断系统、管理功能部件（如定时/计数器、键盘/显示器/打印机等）、模拟通道（A/D和D/A）等的扩展技术。系统扩展方法有并行扩展法和串行扩展法两种，本章将介绍并行的外部总线、外部程序存储器、外部数据存储器、外部I/O接口的扩展技术以及简单的串行扩展方法。 本章的重点是并行扩展方法中常用的存储器芯片、I/O接口芯片与MCS-51单片机的接口设计和编程，特别是高位地址线的几种译码连接方式以及芯片的地址计算，本章的难点是外部扩展芯片如何与MCS-51单片机正确连接、地址译码方式选择及地址计算、可编程I/O接口8155 / 8255的初始化及其编程等。;7.1 并行扩展方法的概述;图7-1 MCS-51单片机最小系统;2. MCS-51单片机并行扩展的三总线结构;;3. 三总线结构中的地址锁存器;1) 74LS273是具有异步清零的TTL上升沿锁存器。每一位都是一个D触发器，8个D触发器的控制端连接在一起。由于此芯片内部无三态锁存器，因此其输出只有高、低两种状态。 2) Intel 8282是带有三态输出的TTL电平锁存器。它的内部除了具有类似74LS273的8个D触发器外，还集成了8位的三态门，为三态门的输出允许引脚，当=0时三态门打开，允许输出，否则三态门禁止输出，因此其每一位都是一个三态锁存器。8个三态锁存器的控制端STB连在一起，当电平锁存引脚STB =1时，锁存器的数据输出端Q的状态与数据输入端D相同；而当STB=0时，输入端的数据就被锁存在锁存器中，数据输入端D的变化不再影响Q端输出。 3) 74LS373也是带有三态输出的TTL电平锁存器。74LS373与Intel 8282功能完全一样，它们仅是引脚分布位置不同而已。G为电平锁存引脚， 为输出允许引脚。当G为高电平时，锁存器的数据输出端Q的状态与数据输入端D相同。当G端从高电平返回??低电平时（下降沿后），输入端的数据就被锁存在锁存器中，数据输入端D的变化不再影响Q端输出。;图 7-4 地址锁存器74LS373的内部结构及与MCS-51单片机的连接引脚示意图。 ;4. 并行扩展三总线的驱动;74245是8同相三态双向总线收发器，可双向传输，有一个方向控制端DIR。当 ＝1时，A—B为高阻；当 ＝0，DIR＝1时，A→B；当＝0，DIR＝0时，B→A。;;PSEN;图7-8 采用74LS244的单向总线驱动电路;7.2 MCS-51单片机的外部存贮器扩展;计算机系统中的存储器根据存储元件的材料来分，可分为半导体存储器、磁存储器及光存储器。按工作时与CPU联系的密切程度分，存储器可分为主存和辅存，或称为内存和外存。主存存放当前运行的程序和数据，它和CPU直接交换信息，且按存储单元进行读写数据，其特点主要是存取速度快，容量相对要小；辅存则作为主存的后援，存放暂时不执行的程序和数据，它只是在需要时调入内存后CPU才能访问，因此辅存通常容量大，但存取速度慢。由于半导体存储器是以集成电路的形式出现，当今微型计算机系统中的主存几乎全部是使用的半导体存储器，而磁和光等存储器主要用作大容量辅存，如磁盘、磁带、光盘等。;（1）半导体存储器分类;ROM又可分为掩膜ROM、可编程ROM(PROM)、光可擦除ROM(EPROM)、电可擦除EEPROM（也称E2PROM）和闪存FLASH。其中掩膜ROM在信息制作在芯片中，不可更改；PROM仅允许一次编程，此后不可更改；EPROM采用紫外光擦除，擦除后可编程，并允许用户多次擦除和编程；EEPROM (E2PROM)采用加电方法在线进行擦除和编程，也可多次擦写；Flash Memory (闪存)能够快速擦写的EEPROM，但只能按块（Block）擦除。 由于用户编写的单片机程序都需要反复多次进行修改与调试，因此，单片机外部扩展的程序存储器只用EPROM 、E2PROM和FLASH等可多次擦除的ROM。;（3）RAM分类;3. 存储器的字、位扩展;1）位扩展;（2）字扩展;（3）字位扩展;（4）扩展存储器所需芯片数目的确定;4. 扩展存储器的一般连接方法;存储器芯片的三总线与单片机扩展三总线连接原则为：;（2）存储器芯片的数据线;（3）存储器芯片的地址线;（4）其他注意问题;5．存储器芯片的选片方式;其中：部分译码用片内寻址外的高位地址的一部分（而不是全部）