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2018-06-07 发布于福建
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立方氮化硼制备.ppt

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立方氮化硼制备

立方氮化硼的制备 c - BN 薄膜生长机理 N2＝7.4％时c-BN生长情况 N2＝10％时c-BN生长情况结论在射频溅射生长c-BN时，最适合生长的衬底温度和N2含量有关，适当增加N2含量可以降低最适衬底温度。在最适衬底温度下生长的c-BN薄膜不但含量较高，而且应力较低。 Thank You * * 指导老师：乐永康实验者：赵凯立方氮化硼薄膜在薄膜应用领域具有重要的技术潜力宽光学带隙6. 5 eV ,优良的热导率，可掺杂为N 型、P 型半导体高温下强的抗氧化性能(1 300 ℃以下不易氧化) 很高的硬度, 是超硬保护涂层的较佳选择材料。很好的透光性, 本身高硬度,是光学元件良好的保护涂层。离子能量被薄膜内声子吸收产生温度峰值,这导致局部区域内的高温和高压,在极短暂的时间内很快淬火,那么此能量有助于形成c - BN 相离子轰击在薄膜内产生明显的收缩应力。BN 材料内受离子轰击使局部区域应力状态发生变化,在此状态下c - BN 处于平衡态,因而形成c - BN 相氮气机械泵氩气分子泵档板偏压电源配适器靶材溅射电源配适器衬底 N2＝7.4％c-BN的红外吸收谱衬底上h-BN和c-BN有相近的红外灵敏因子，所以c-BN的含量可以表示为P=I1065/(I1065+I1380) Ulrich等的实验中，以1053cm-1为无应力状态,测出波数对应力漂移率为1.8cm-1/GPa,所以应力 f=(x-1053)/1.8 GPa N2＝10％c-BN的红外吸收谱 *