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第6章 单片机并行存储器扩展 扩展的原因 80C51最小应用系统除了集成在芯片内部的一些器件，还包括晶体振荡电路、复位开关和电源部分。由于集成度的限制，这种最小应用系统只能用作一些小型的控制单元。其应用特点是： （1）全部I/O口线均可供用户使用。 （2）内部存储器容量有限（只有4KB地址空间）。 （3）应用系统开发具有特殊性。 单片机内资源少，容量小，在进行较复杂过程的控制时，它自身的功能远远不能满足需要。为此，应扩展其功能。 1、掩膜式只读存储器(MROM) MROM的内容是由生产厂家按用户要求在芯片的生产过程中写入的，写入后不能修改。MROM采用二次光刻掩膜工艺制成，首先要制作一个掩膜板，然后通过掩膜板曝光，在硅片上刻出图形。制作掩膜板工艺较复杂，生产周期长，因此生产第一片MROM的费用很大，而复制同样的ROM就很便宜了，所以适合于大批量生产，不适用于科学研究。MROM有双极型、MOS型等几种电路形式。 6.3 并行扩展系统的芯片选取 存储器扩展的核心问题是存储器的编址问题。 存储器的编址分为两个层次： 1、存储器芯片的选择(楼号) 2、芯片内部存储单元的选择（房间号） 即先选中某一芯片（片选信号有效）然后才能访问该芯片中的某一存储单元。 存储器芯片的选择方法 1. 线选法 2. 译码法 80C51单片机系统地址空间结构图 本章小结 * 第6章 单片机并行存储器扩展 6.1 80C51单片机的并行扩展总线 6.2 存储器分类 6.3 并行扩展系统的芯片选取 6.4 存储器并行扩展 6.5 80C51单片机存储器系统的特点和 区分方法 单片机有两类系统扩展：存储器扩展; I/O扩展； 有两种系统扩展方法：并行扩展; 串行扩展. 扩展类型及方法 地址总线—— AB，P0口提供（A7 ~ A0）； P2口提供（A15 ~ A8），共16位。 数据总线—— DB，P0口提供（D7 ~ D0），共8位。 控制总线—— CB，ALE 、 、 、 、 等。 扩展所用的三总线 80C51单片机并行扩展总线结构图 CPU CACHE 主存（内存） 辅存（外存） 微机中存储器的层次 　 半导体存储器的分类 半导体 存储器 只读存储器 （ROM） 随机存取存储器 （RAM） 静态RAM（SRAM） 动态RAM（DRAM，IRAM） 非易失RAM（NVRAM） 掩膜式ROM 一次性可编程ROM（PROM） 紫外线擦除可编程ROM（EPROM） 电擦除可编程ROM（EEPROM） 闪速存储器（FlashPROM） DIP28 DIP28 DIP24 封装 5 5 5 工作电压/V 200 200 200 读写时间/ns 32KB×8 8KB×8 2KB×8 容量/ bit 62256 6264 6116 型 号 性 能 静态RAM的参数 　可编程PROM在封装出厂前，存储单元中的内容全为“1”（或全为“0”），用户可根据需要进行一次性编程处理，将某些单元的内容改为“0”（或“1”）左图是PROM的一种存储单元,它由三极管和熔丝组成,在存储矩阵的所有存储单元都是这种结构。出厂前，所有存储单元的熔丝都是通的，存储内容全为“1”。用户在使用前进行一次性编程，例如，若想使某单元的存储内容为“0”，只需选中该单元后，再在VCC端加上电脉冲，使熔丝通过足够大的电流，把熔丝烧断即可。熔丝一旦烧断将无法接上，也就是一旦写成“0”后就无法再重写成“1”了。因此PROM只能编程一次，使用起来很不方便。可改写ROM（EPROM）则克服了这一缺点。 2、可编程只读存储器PROM 根据写入原理PROM可分为两类：结破坏型和熔丝型。 顶部开有一个圆形的石英窗口，用于紫外线透过擦除原有信息 一般使用专门的编程器（烧写器）进行编程 编程后，应该贴上不透光封条 出厂未编程前，每个基本存储单元都是信息1 编程就是将某些单元写入信息0 3、EPROM DIP28 DIP28 DIP28 DIP24 DIP24 封装 250 250 250 250 350 读写时间/ns 32KB×8 16KB×8 8KB×8 4KB×8 2KB×8 容量/bit 27256 27128 2764 2732 2716 型 号 性 能 常用程序存储器E