集成电路工艺基础——09_金属化及多层互连.pptVIP

Chap 9 金属化与多层互连 金属化 金属及金属性材料在集成电路技术中的应用 金属化的作用 将有源元件按设计的要求联结起来形成一个完整的电路和系统 提供与外电源相连接的接点 互连和金属化不仅占去了相当的芯片面积，而且往往是限制电路速度的主要矛盾之所在。 金属材料的应用 金属材料的用途及要求： 栅电极 与栅氧化层之间有良好的界面特性和稳定性 合适的功函数，满足NMOS和PMOS阈值电压对称的要求 多晶硅的优点 可以通过改变掺杂的类型和浓度来调节功函数 与栅氧化层有很好的界面特性 多晶硅栅工艺具有源漏自对准的特点 金属材料的应用 金属材料的用途及要求： 互连材料 电阻率小 易于淀积和刻蚀 好的抗电迁移特性 Al Cu 金属材料的应用 金属材料的用途及要求： 接触材料 良好的金属/半导体接触特性（好的界面性和稳定性，接触电阻小，在半导体材料中的扩散系数小） 后续加工工序中的稳定性； 保证器件不失效 Al 硅化物（PtSi、CoSi） 集成电路对金属化材料特性的要求 基本要求： 1 低阻的欧姆接触，低阻的互连引线 2 抗电迁移性能好 3 附着性好 4 耐腐蚀 5 易淀积和刻蚀 6 易键合 7 互连层绝缘性好，层间不发生互相渗透和扩散，要求有一个扩散阻挡层。 集成电路对金属化材料特性的要求 晶格结构和外延生长的影响 薄膜的晶格结构决定其特性 电学特性 电阻率、TCR、功函数、肖特基势垒高度