集成电路中的有源及无源器件.pptVIP

集成电路中的有源与无源器件 哈尔滨工程大学 钛金属接触的主要步骤： （1）钛的淀积 彻底清洗硅片，从表面清除沾污和氧化物。利用溅射工艺在硅片表面淀积钛。 （2）退火 硅片移入快速退火装置。高温触发钛和硅发生反应，生成了（硅化钛）。 （3）刻蚀金属钛 用化学方法刻蚀掉没有发生反应得金属钛，将钛的硅化物留在了硅的表面。 CMOS制作步骤 8.局部互连工艺 在晶体管以及其他钛硅化物接触之间布金属连线。在下面的工艺流程中用到的方法称为局部互连。形成局部互连首先要求淀积一层介质薄膜，接下来是化学机械抛光、刻印、刻蚀和钨金属淀积，最后以金属层抛光结束。这种工艺称为大马士革。形成局部互连氧化硅介质的步骤： （1）氮化硅化学气相淀积 用化学气相淀积工艺先淀积一层氮化硅作为阻挡层。这层氮化硅将硅有源区保护起来，使之与随后的掺杂淀积层隔绝。 （2）掺杂氧化物的化学气相淀积 局部互连结构中的局部互连介质成分是由化学气相淀积的二氧化硅提供的。二氧化硅要用磷或硼轻掺杂。二氧化硅中引人杂质能够提高玻璃的介电特性。随后的快速退火能够使玻璃流动，得到更加平坦的表面。 CMOS制作步骤 （3）氧化层抛光（CMP） 利用化学机械抛光工艺平坦化局部互连的氧化层。抛光后的氧化层厚度约为8000。 （4）第九层掩膜，局部互连刻蚀 硅片在光刻区刻印然后在刻蚀区刻蚀。在局部互连的氧化层中制作出窄