第三章平衡态半导体物理基础.PDFVIP

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  • 2018-08-09 发布于湖北
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第三章平衡态半导体的物理基础 第三章平衡态半导体的物理基础 本章将讨论在热平衡条件下,半导体的基本特性及其物理 基础,主要包括:平衡半导体载流子分布的物理规律;掺 杂对半导体性质的影响等问题。 本章内容: 本章内容: §3.1 本征半导体和本征费米能级 § §3.2 非本征半导体 § §3.3 费米能级 § §3.4 重掺杂半导体 § §3.5 深能级杂质和多重能级杂质 § 第三章平衡态半导体的物理基础 第三章平衡态半导体的物理基础 §3.1 本征半导体和本征费米能级 §3.1 本征半导体和本征费米能级 基于能带论,半导体的性质及导电能力,与电子和空穴浓度有 关,而电子和空穴的浓度与价电子在导带和价带中的占据分布 情况密切相关,因此,研究掌握各种具体条件下载流子浓度分 布情况和规律至关重要。本节将首先讨论在热平衡条件下,没 有缺陷和杂质的纯净半导体(称为本征半导体)中载流子的分 布规律和特征。 在热平衡条件下,半导体中价电子在导带和价带中的分布遵循 统计物理规律,

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