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所内新闻 中国科学院物理研究所
EX5组供稿 第5期 2013年02月08日
科研动态 北京凝聚态物理国家实验室
综合新闻
项目通知 与 “122”铁基超导体同结构的新型稀磁半导体
通知公告
图片新闻
中科院物理所/北京凝聚态物理国家实验室(筹)极端条件实验室靳常青研究组近期在基于自旋和电荷分别注入机制的稀
磁半导体研究中取得重要进展,他们发现了一类新的具有 “122”铁基超导体同结构的稀磁体(Ba,K)(Zn,Mn) As ,得到了居里
2 2
转变温度(Tc)高达180K以上的稀磁半导体。
在半导体中引入自旋,在信息存储中同时利用电子的电荷和自旋双重属性,将有望为解决Moore定律带来的瓶颈效应提供
重要解决方案。在半导体中实现磁有序需要具备两个基本物理条件,既要有局域磁矩,又要有引发局域磁矩长程量子序的低浓
度载流子。在几类已知的稀磁半导体中,磁矩和载流子均由同一种掺杂元素提供,不能分别注入和调控。以最典型的基
于III~V族的(Ga,Mn)As稀磁半导体为例, Mn2+ 3+
对Ga 的替代引入自旋的同时也提供了P型载流子,这种自旋和电荷的捆绑效应
严重制约了对材料电、磁性质的调控。
为解决自旋电荷分别注入这个关键问题,该研究组在2011年首先发现了基于I-II-V族半导体的新型稀磁
体Li(Zn,Mn)As (Nature Communications 2:422 (2011)),其具有和GaAs同样的晶体结构。与GaAs不同,
对Li(Zn,Mn)As在Zn2+ 2+
位注入Mn 只引入自旋,载流子浓度则通过改变Li的含
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