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2018-06-09 发布于福建
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18中山大学曾飞晶体硅太阳电池发射极腐蚀的的研究

晶体硅太阳电池发射极腐蚀的研究中山大学太阳能系统研究所曾飞主要内容 HF/HNO 体系腐蚀的基本规律 3 发射极的腐蚀研究 利用重掺杂-腐蚀工艺制备太阳电池 1、HF/HNO 体系腐蚀的基本规律 3 HF/HNO 腐蚀体系在晶体硅太阳电池工艺上的应用 3 酸制绒 去背结和边缘结 背面抛光 选择性发射极电池  ………… HF/HNO 体系腐蚀的原理 3 O HF x Si →SiO →H SiF + H O 2 2 6 2 3Si + 4HNO3 + 18HF → 3H SiF6 + 4NO + 8H O 2 2 各种反应条件对腐蚀的影响（1）添加剂的影响： 添加水、乙酸、乙醇等可以减缓腐蚀速率 添加H SO 或者H PO 增加腐蚀的均匀性 2 4 3 4 （2 ）硅片表面形貌的影响： 表面粗糙的硅片腐蚀速度比光滑的硅片大  多晶晶界刻槽 F. Book, S. Braun et.al, 2010 IEEE （3 ）硅片掺杂浓度的影响 腐蚀速率随着掺杂浓度的增加而增加（4 ）腐蚀液温度的影响 温度升高，反应速率增大 温度继续身高，反应容易失控腐蚀深度随硅片掺杂浓度的变化曲线 E. A. Starostina, Russian Microelectronics, Vol. 31, No. 2, 2002, pp. 88–96. （5 ）溶液扰动的影响 溶液中有扰动时，对富HF的体系，反应速度减小，对于富HNO3 的体系反应速度增大（6 ）HF与HNO 配比的影响 3 抛光 染色多孔硅porous silicon 抛光-染色反应的“边界”曲线 E. A. Starostina, Russian Microelectronics, Vol. 31, No. 2, 2002, pp. 88–96. 染色不同厚度多孔硅对应的颜色 Inyong Moon, Solar Energy Materials Solar Cells 93 (2009) 846–850. 硅片腐蚀深度与多孔硅厚度的关系 E. A. Starostina, Russian Microelectronics, Vol. 31, No. 2, 2002, pp. 88–96. 多孔硅形貌 Kazimierz Drabczyk et.al, Solar Energy R J Mart ´ın-Palma et.al, Semicond. Sci. Materials Solar Cells 76 (2003) 545–551. Technol. 16 (2001) 657–661. 去除多孔硅后的形貌 F. Book, S. Braun et.al, 2010 IEEE. 2、发射极的腐蚀研究腐蚀对杂质浓度分布的影响  经过重掺杂再腐蚀，发射极的杂质浓度分布与一次扩散的发射极有所