含纳米硅的SiO_2薄膜电致发光的数值分析.pdfVIP

41 2005 5 ( ) Vol41 2005 No5 Journal of Northw est Normal U niversit y ( Natural Science) 37 含纳米硅的SiO2 薄膜电致发光的数值分析 张开彪, 马书懿, 马自军, 陈海霞 ( , 730070) : 考虑到薄膜中存在的缺陷对发光的影响, 采用位形 标为理论模型, 对用射频溅射法制备的具有 Au/ ( Si/ SiO ) / pSi 结构样品的电致发光谱进行了数值分析. 数值结果表明, 在SiO 薄膜中存在2 个缺陷中心, 电子和空穴就 2 2 是通过这些缺陷中心复合而发光. 这 一结论与实验符合得很好, 并与量子限制效应复合中心发光的理论结果相一致. : 含纳米硅的二氧化硅薄膜; 电致发光; 位形 标 + : O 4844 1 : A : 10