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实验任务 NOR/NAND FLASH:概述 NOR/NAND FLASH:概述 NOR/NAND FLASH:概述 Flash Programming步骤 Flash Programming:步骤1 Flash Programming:步骤1 Flash Programming:步骤1 Flash Programming:步骤2 Flash Programming:步骤3 Flash Programming:步骤3 Flash Programming:步骤3 Flash Programming:步骤3 Flash Programming:步骤4 Flash Programming:步骤4 Flash Programming:步骤4 Flash Programming:步骤5 嵌入式系统及应用Expt12:ARM Flash Programming 学习NORFLAH,NANDFLASH的应用 学习NOR FLASH编程工具应用 实验内容 利用NOR FLASH编程工具对NOR FLASH芯片进行编程; 应用领域 Nand 主要应用：Compacflash，Secure Digi-tal，Smartmedia，SD，MMC，Xd，PC Card，USB Sticks等。 NOR的传输效率很高，在小容量时具有很高的成本效益，更加安全，不容易出现数据故障，因此，主要应用以代码存储为主，多与运算相关。 性能比较 Flash闪存是非易失存储器，可以对称为块的存储器单元块进行擦写和再编程。大部分情况下在进行写入操作之前必须先执行擦除。NAND器件执行擦除操作是十分简单的，而NOR则要求在进行擦除前先要将目标块内所有的位都写为0。 由于擦除NOR器件时是以64～128KB的块进行的，执行一个写入/擦除操作的时间为5s，与此相反，擦除NAND器件是以8～32KB的块进行的，执行相同的操作最多只需要4ms。 执行擦除时块尺寸的不同进一步拉大了NOR和NADN之间的性能差距，统计表明，对于给定的一套写入操作(尤其是更新小文件时更多的擦除操作必须在基于NOR的单元中进行。 权衡因素 NOR的读速度比NAND稍快一些。 NAND的写入速度比NOR快很多。 NAND的4ms擦除速度远比NOR的5s快。 NAND的擦除单元更小，相应的擦除电路更少。 接口 NOR flash带有SRAM接口，有足够的地址引脚来寻址，可以很容易地存取其内部的每一个字节。 NAND器件使用复杂的I/O口来串行地存取数据，各个产品或厂商的方法可能各不相同。8个引脚用来传送控制、地址和数据信息。 NAND读和写操作采用512字节的块，这一点有点像硬盘管理此类操作，很自然地，基于NAND的存储器就可以取代硬盘或其他块设备。 易于使用 可以直接使用基于NOR的闪存，直接运行代码。 NAND接口复杂 在使用NAND器件时，必须先写入驱动程序，才能继续执行其他操作. 1.重新编译待编程到Flash的New Image 2.运行AXD加载编程工具的Image 3.使用Xmodem协议通过串口下载New Image 4.下载完毕后烧写New Image到Flash芯片 5.运行Flash芯片上的New Image 1.设置FromElf选项生成bin文件; 2.RO地址设置为0; 输出格式 保存路径 代码存放地址为运行地址0 定位到文件夹:ProgramFlash 运行run.bat;该run.bat会启动AXD并加载可对Flash编程的Image 启用Windows自带的超级终端; 配置:波特率115200, 数据位8bit, 无奇偶校验, 1bit停止位, 无数据流控制; 在AXD下运行Image;该Image可以通过串口下载文件并将文件的内容烧写到Flash芯片上; 在超级终端, 阅读输出的信息; 选择a,确认芯片型号28F640J3; 选择y,确认从UART0下载Image并烧写到芯片; 发送文件 选择发送的文件及使用协议Xmodem 下载完毕后设定Image烧写开始地址=0 开始烧写 烧写结束后校验 Reset目标板,以开始运行NorFlash上的New Image.