光电技术验指导书.doc

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光电技术验指导书

光电技术与器件 课程实验指导书 目 录 第一次实验: 实验一 实验二实验三实验四实验五实验六实验七实验八实验实验十实验十实验十实验十实验十实验十实验十实验十实验十1.1 光敏二极管的光电特性(3V电源时) 光照状况 ( 全 暗 日光灯照射 台灯斜照射 台灯正照射 激光照射 电流值I (mA) (3) 伏安特性测量。在某一光照下,改变电压U的大小(如1.5,2.0,2.5,3.0,4.0,5.0V等,可用面板上的“振动控制”或“电机控制”单元分压获得,即Vin端接入+3V或+5V,调节旋钮,获得不同的Vout端电压,后同),用毫安表测定电流的变化,数字电压表测定U值,记录测定的数据;改变光照强度(如日光灯照射、台灯照射、激光照射等),重复测量电流随电压的变化情况,在图1.2上绘制出I-U曲线族。 注意:施加的电压尽量不要超过5V。不能过分用力地插入或拔出接插线,因为这可能导致部分插孔松动,造成实验结果的不准确。请仔细插入或拔出接插线(后同)。 实验二 光敏三极管特性及参数测量实验 一、实验目的: 测量和掌握不同照度下光敏三极管的光电特性,测量和掌握不同照度下光敏三极管的伏安特性。 二、实验原理: 光敏三极管的工作原理与光敏二极管类似,同属内光电效应器件,但其光电特性和伏安特性比光敏二极管灵敏。实验过程中通过改变环境光照强度和反偏电压,测定通过光敏三极管的光电流大小,从而获得其在不同光照强度和不同反偏电压下的光电特性及伏安特性,得到相应的关系曲线。 三、实验所需单元: 直流稳压电源,光敏三极管,红外LED,电阻,数字电压表,电流(毫安)表,半导体激光器。 四、实验步骤: (1) 按图2.1所示连接各元件和单元。检查接线无误后,开启稳压电源。 (2) 光电特性测量。在某一电压U(如+3V)时,用毫安表测定电流随光照强度((如暗处、日光灯照射、台灯照射、激光照射等)的变化情况,记录测定的数据,将结果绘制成曲线图。 (3) 伏安特性测量。在某一光照下,改变电压U的大小(如1.5, 2.0, 2.5, 3.0, 4.0, 5.0V等),用毫安表测定电流的变化,数字电压表测定U值,记录测定的数据;改变光照强度(如日光灯照射、台灯照射、激光照射等),重复测量电流随电压的变化关系,将结果绘制成曲线图。注:电压不得超过5V。 (4) 请比较光敏三极管与光敏二极管特性的异同,并分析原因。 实验三 光敏电阻特性及参数测量实验 一、实验目的: 了解光敏电阻的电阻特性,掌握光敏电阻的伏安特性及其随光照强度的变化规律。 二、实验原理: 光敏电阻是最典型的光电效应器件,即其电导率随光照强度而发生变化。半导体光电导器件是利用半导体材料的光电导效应制成的光电探测器件。本实验旨在测定光敏电阻在不同光照环境下的电阻值,并测定其伏安特性随光照强度的变化规律。 三、实验所需单元: 直流稳压电源,光敏电阻,数字电压表,电流(毫安)表,万用表。 四、实验步骤: (1) 光敏电阻的暗、亮电阻测定。如图3.1所示,用万用表从光敏电子两端测定它在不同光照条件下的电阻值,将测得的结果填入表3.1。 光 照 状 况 全 暗 日光灯照射 台灯斜照射 台灯直照射 激光照射 光敏电阻值(k() 表3.1 光敏电阻的阻值变化 (2) 光敏电阻伏安特性测定。按图3.2所示连接各元件和单元,检查连接无误后,开启电源。用一挡光物(如黑纸片或瓶盖)遮住光敏电阻(视为全暗),分别接插不同的电压U值(如1.5, 2.0, 2.5, 3.0, 4.0, 5.0V等),利用 电流表测定流过光敏电阻的电流值I,数字 电压表测定U值。 改变光敏电阻的光照强 度(如全暗、日光灯、台灯、激光照射), 重复测定I与U的关系,可得到图3.3所示 的伏安特性关系曲线族。 (3) 分析上述测量结果, 进一步了解 光敏电阻的光敏特性,掌握其中的变化规 律。 实验四 光敏电阻暗光街灯实验 一、实验目的: 利用光敏电阻的电阻变化特性,将之作为街灯自动点亮与熄灭的传感器件,掌握基于光敏电阻的暗光街灯的工作原理及应用。 二、实验原理: 根据实验测定,光敏电阻的电阻值随光亮度的增大而迅速减小。利用这一特性,设计了暗光街灯演示实验。其原理是当环境变暗时光敏电阻的阻值增大,当亮度降低到一定值时,即光敏电阻值增大到某一阈值时,光电传感电路系统自动点亮小灯泡,从而达到与暗光街灯相似的目的。 三、实验所需单元: 直流稳压电源,光敏电阻,三极管放大电路,小灯泡(负载),万用表,数字电压表。 四、实验步骤: (1) 按图4.1所示连接各元件和单元,连接+3V电源。 (2) 检查连接无误后,开启电源。 (3

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