第五章 有序纳米结构及应用PPT.ppt

第五章 有序纳米结构及其应用;定义;主要内容;5.1. 纳米刻蚀技术 5.2. 自组装技术 5.3. 自下而上和自上而下相结合制备有序纳米结构 5.4 有序纳米结构的应用;5.1.1 极紫外光刻(EUVL)和X射线光刻(XRL);定域刻蚀 利用化学或物理方法，将抗蚀剂薄层未掩蔽的晶片表面或介质层除去，从而在晶片表面或介质层上获得与抗蚀剂薄层图形完全一致的图形。示意图见图5-3所示。;光刻技术成像质量的评价两个重要的指标：分辨率和焦深。 分辨率 表示能分辨的最小线宽，能分辨的线宽越小，分辨率越高。光学光刻的分辨率决定了芯片上单个器件的最小尺度。 焦深 表示一定工艺条件下，能刻出最小线宽时像面偏离理想脚面的范围。焦深越大，对图形的制作越有利。;极紫外光刻技术(EUVL) 用波长范围为11~14nm的光，经过周期性多层膜反射镜，照射到反射掩模上，反射出的 EUV光再经过投影系统，将掩模图形形成在硅片的光刻胶上(图5-4)。;极紫外光刻技术(EUVL)的特点 与传统光刻技术中的透射式光学系统不同，EUVL技术采用了反射式光学系统； 工艺兼容性、技术规范和系统要求与传统光刻技术非常相似，容易被现代的半导体工业接受和采用； 曝光波长短，很容易获得高的分辨率； 无需采用近邻效应校正技术和移相掩模技术，有利于降低光刻成本。;Ｘ射线光刻技术(XRL) Ｘ射线曝光过程与光学曝光过程类似，都是将掩模板上的图形转移到硅表面的光刻胶上。由于到目前为止还无法对Ｘ射线聚焦，采用的曝光系统基本都是无投射光学系统的近贴式和1:1投影式(图5-6)。;图5-7展示了采用XRL技术在硅片上刻蚀的线宽和线间距都为75nm的纳米线条图案。;5.1.2 电子束刻蚀(EBL)和离子束刻蚀(IBL) ;图5-9展示了采用 EBL技术在硅片上刻蚀的线宽分别为100nm和12nm的纳米线条，以及规则的六角图案。;离子束刻蚀(IBL) ?对被加工工件进行物理溅蚀，以实现原子级的微细加工。离子束溅蚀法的加工原理与电子束类似。 ?采用扩散泵使加工室达到10-5Torr(1Torr=1.333×102Pa)的真空，然后充入压力为5×104Torr的工作气体(如氩气)。钨阴极与环状阳极之间的电压为40V，可保证电极间的持续放电。永久磁铁产生的轴向磁场为热激发电子形成一个螺旋形长???道，可最大程度地使氩气电离为等离子体。由等离子体中释放出的离子束通过双层栅极聚焦系统(其中内栅起隔离作用，外栅用于离子束的加速)，由此形成具有强方向性及低散射能的簇射离子束。被加工的金刚石安装在一个倾斜角可调的回转工作台上，距栅极约5mm。通过改变回转轴的倾角范围和回转速度，可得到不同的加工形状及加工精度。加工速率及质量与离子束能量、工件表面电流密度及离子束相对于被加工表面的夹角有关。;离子束刻蚀(IBL)的特点 ? 由于离子是从一个在外电场作用下形成的极小的液体尖端发射的，其发射面积仅为几个纳米，因而可以较容易地利用离子光学系统将发射的离子聚焦成微细离子束，进行高分辨率离子束曝光； ? 由于离子质量重，在同样的能量下，感光胶对离子的灵敏度要比对电子高数百倍； ? 液态金属离子源发射的离子具有较大的能量分散，而聚焦离子束系统所采用的静电透镜有较大的色差系数，由于色差的影响，无法将离子束聚焦成电子束一样细，因而其分辨率比电子束曝光低； ? 由于离子质量重，在感光胶中的曝光深度有限，大大限制了离子束曝光的应用范围。;5.1.3 纳米压印技术(NIL) ;热压印(HEL) 在高温条件下将印章上的结构按需复制到大的表面上，被广泛用于微纳结构加工。;热压印的主要工艺过程如图5-10所示.;紫外压印技术 紫外压印工艺是将单体涂覆的衬底和透明印章装载到对准机中，在真空环境下被固定在各自的卡盘上。当衬底和印章的光学对准完成后，开始接触压印。透过印章的紫外曝光促使压印区域的聚合物发生聚合和固化成型。 紫外压印对环境要求更低，仅在室温和低压力下就可进行，从而使该技术大大缩短生产周期，同时减少印章磨损。 ;微接触印刷(?CP) 用弹性模板结合自组装单分子层技术在基片上印刷图形的技术。是一种形成高质量微结构的低成本方法，可以直接应用于制作大面积的简单图案，适用于微米至纳米级图形的制作，最小分辨率可达 35nm。; 纳米压印技术除操作简单外，还可以采用层层压印的方式获得三维有序纳米结构，图5-14展示了这种层层压印方式的示意图，以及一个三层压印技术获得的立体纳米线条图案。;5.1.4 其他几种纳米刻蚀技术 纳米掩膜刻蚀技术 基于扫描探针显微镜(SPM)的纳米刻蚀技术 蘸笔纳米印刷术(DPN);纳米掩膜刻蚀技术 将具有纳米结构的材料有序排布成所需的阵列，通过转移技术转移到基片表面；利用有序排布的纳米结构做掩膜