电力电子技术-第1章B.pptVIP

1.3 晶闸管 晶闸管（Thyristor）就是硅晶体闸流管，也称为可控硅（SCR）。 晶闸管是一种具有开关作用的半导体器件，工作可靠，在大容量场合具有重要地位。 目前，晶闸管的容量水平已达8kV/6kA。 * * 小电流塑封式 小电流螺栓式 大电流平板式 1.3.1 晶闸管的结构和工作原理 1. 晶闸管的外形 大电流螺栓式 2. 晶闸管的结构 晶闸管是具有四层PNPN结构、三端引出线（A、K、G）的器件。 合S，IG≠0 3. 晶闸管的工作原理 欲使晶闸管导通须具备两个条件： 应在晶闸管的阳极与阴极之间加正向电压。 应在晶闸管的门极与阴极之间也加正向电压和电流。 晶闸管一旦导通，门极即失去控制作用，故晶闸管为半控型器件。 为使晶闸管关断，必须使其阳极电流减小到一定数值以下，这只有用使阳极电压减小到零或反向的方法来实现。 →Ib2 →Ic2(Ib1) →Ic1 ↑ ↑ ↑ 1.3.2 晶闸管的特性和主要参数 1. 晶闸管的特性 （1）晶闸管的伏安特性 当IG=0时，UAK0，处于阻断状态，漏电流很小； 当UAK≥正向转折电压UBO时，IA急剧↑，开通， UAK≈1V； IG越大，电压转折值越小； 若IG→0，且IA↓至≤IH（维持电流），则回到正向阻断状态； 当UAK0，处于反向阻断状态，反向漏电流很小； 若|UAK|≥|反向击穿电压|，反向漏电流急剧↑，雪崩击穿，甚至热击穿。 IG2IG1IG 反向重复峰值电压 反向不重复峰值电压 断态重复峰值电压 由于实际产品的门极伏安特性分散性很大，常以一条典型的极限低阻门极伏安特性OD和一条极限高阻门极伏安特性OG之间的区域来代表所有器件的伏安特性。 OABCO为不可靠触发区，ADEFGCBA（阴影）为可靠触发区。其中， PG为门极允许的最大平均功率。 （2）晶闸管的门极伏安特性 门极伏安特性是指门、阴极间PN结的正向门极电压UG (UGK)与门极电流IG之间的关系。 （3）晶闸管的开关特性 开通过程 开通时间ton包括延迟时间td与上升时间tr，即ton=td+ tr。 延迟时间td：门极电流阶跃时刻开始，到阳极电流上升到稳态值的10%的时间。 上升时间tr：阳极电流从稳态值的10%上升到90%的时间。 普通晶闸管延迟时间为0.5~1.5?s，上升时间为0.5~3?s。 关断过程 关断时间toff包括反向阻断恢复时间trr与正向阻断恢复时间tgr，即toff=trr+tgr。 反向阻断恢复时间trr：从正向电流降为零到反向恢复电流减为零的时间。 正向阻断恢复时间tgr：从恢复反向阻断能力开始到恢复正向阻断能力的时间。 普通晶闸管的关断时间约几百微秒。 2. 晶闸管的主要参数 (1)断态重复峰值电压UDRM——在门极断路而结温为额定值时，允许重复加在器件上的 正向峰值电压。 (2)反向重复峰值电压URRM—— 在门极断路而结温为额定值时，允许重复加在器件上的反向峰值电压。 (3)额定电压UTN——断态重复峰值电压UDRM和反向重复峰值电压URRM中较小的那个数值标作器件型号上的额定电压。 在电路中，晶闸管的额定电压可以取正常工作时所承受的峰值电压，考虑安全裕量，一般取该峰值电压的2～3倍为额定电压。 该正弦半波电流的平均值IT(AV)和有效值IT分别为： 那么 ，Kf为波形系数。 实际应用中，用有效值相等原则选晶闸管的电流定额，并留安全裕量。一般取计算值的1.5～2倍为额定电流。 (4) 额定电流IT(AV)——在环境温度为+40℃和规定冷却条件下，稳定结温不超过额定结温时所允许流过的最大工频正弦半波电流的平均值，也称通态平均电流。 [例1-1]两个不同的电流波形（阴影斜线部分）如图所示，分别流经晶闸管，若各波形的最大值Im=100A，试计算各波形下晶闸管的电流平均值Id1、Id2，电流有效值I1、I2。 解： (5) 维持电流 IH——维持导通所必需的最小电流。 IH一般为几十到几百毫安，与结温有关。 (6) 擎住电流 IL——刚从断态转入通态并移除触发信号后， 能维持导通所需的最小电流。通常，IL≈(2~4)IH 。 (7) 门极触发电流IGT——在室温且阳极电压为DC6V时，使晶闸管从阻断到完全开通所必需的最小门极直流电流。 (8) 门极触发电压UGT——对应于IGT时的门极触发电压。 (9)断态电压临界上升率du/dt——在额定结温和门极开路的情况下，不导致晶闸管从断态到通态转换的外加电压最大上升率。 (10)通态电流临界上升率di/dt——在规定条件下，晶闸管能承受而无有害影响的最大通态电流上升率。 1.3.3 晶闸管的门极驱动电路和缓冲电路 1. 晶闸管的门极驱动电路（触发电路） (1)