《集成电路工艺原理(芯片制造)》课程-考试试题2016.docxVIP

一、填空题（30分=1分*30）10题/章晶圆制备用来做芯片的高纯硅被称为（ 半导体级硅 ），英文简称（GSG），有时也被称为（ 电子级硅）。单晶硅生长常用（ CZ法）和（ 区熔法）两种生长方式，生长后的单晶硅被称为（ 硅锭）。晶圆的英文是（ wafer），其常用的材料是（硅）和（锗）。晶圆制备的九个工艺步骤分别是（ 单晶生长）、整型、（ 切片）、磨片倒角、刻蚀、（抛光）、清洗、检查和包装。从半导体制造来讲，晶圆中用的最广的晶体平面的密勒符号是（100 ）、（110）和（111）。CZ直拉法生长单晶硅是把（融化了的半导体级硅液体）变为（有正确晶向的）并且（ 被掺杂成p型或n型）的固体硅锭。CZ直拉法的目的是（实现均匀掺杂的同时并且复制仔晶的结构，得到合适的硅锭直径并且限制杂质引入到硅中）。影响CZ直拉法的两个主要参数是（拉伸速率）和（晶体旋转速率）。晶圆制备中的整型处理包括（ 去掉两端）、（径向研磨）和（硅片定位边和定位槽）。制备半导体级硅的过程：1（制备工业硅）；2（生长硅单晶）；3（提纯）。氧化二氧化硅按结构可分为（）和（）或（）。热氧化工艺的基本设备有三种：（ 卧式炉）、（ 立式炉）和（ 快速热处理炉）。根据氧化剂的不同，热氧化可分为（干氧氧化）、（湿氧氧化）和（水汽氧化）。用于热工艺的立式炉的主要控制系统分为五部分：（工艺腔）、（硅片传输系统）、气体分配系统、尾气系统和（温控系统）。选择性氧化常见的有（局部氧化 ）和（浅槽隔离），其英语缩略语分别为LOCOS和（ STI）。列出热氧化物在硅片制造的4种用途：（ 掺杂阻挡）、（ 表面钝化）、场氧化层和（金属层间介质 ）。可在高温设备中进行的五种工艺分别是（氧化）、（ 扩散）、（）、退火和合金。硅片上的氧化物主要通过（热生长）和（淀积）的方法产生，由于硅片表面非常平整，使得产生的氧化物主要为层状结构，所以又称为（薄膜）。热氧化的目标是按照（）要求生长（）、（）的二氧化硅薄膜。立式炉的工艺腔或炉管是对硅片加热的场所，它由垂直的（石英工艺腔）、（加热器）和（石英舟）组成。淀积目前常用的CVD系统有：（ APCVD）、（ LPCVD）和（PECVD）。淀积膜的过程有三个不同的阶段。第一步是（晶核形成），第二步是（聚焦成束），第三步是（汇聚成膜）。缩略语PECVD、LPCVD、HDPCVD和APCVD的中文名称分别是（等离子体增强化学气相淀积）、（低压化学气相淀积）、高密度等离子体化学气相淀积、和（常压化学气相淀积）。在外延工艺中，如果膜和衬底材料（相同），例如硅衬底上长硅膜，这样的膜生长称为（同质外延）；反之，膜和衬底材料不一致的情况，例如硅衬底上长氧化铝，则称为（异质外延）。如果淀积的膜在台阶上过度地变薄，就容易导致高的（膜应力）、（电短路）或者在器件中产生不希望的（诱生电荷）。深宽比定义为间隙得深度和宽度得比值。高的深宽比的典型值大于（）。高深宽比的间隙使得难于淀积形成厚度均匀的膜，并且会产生（）和（）。化学气相淀积是通过（）的化学反应在硅片表面淀积一层（）的工艺。硅片表面及其邻近的区域被（）来向反应系统提供附加的能量。化学气相淀积的基本方面包括：（）；（）；（）。在半导体产业界第一种类型的CVD是（），其发生在（）区域，在任何给定的时间，在硅片表面（）的气体分子供发生反应。HDPCVD工艺使用同步淀积和刻蚀作用，其表面反应分为：（）、（）、（）、热中性CVD和反射。金属化金属按其在集成电路工艺中所起的作用，可划分为三大类：（）、（）和（）。气体直流辉光放电分为四个区，分别是：无光放电区、汤生放电区、辉光放电区和电弧放电区。其中辉光放电区包括前期辉光放电区、（ ）和（ ），则溅射区域选择在（ ）。溅射现象是在（ ）中观察到的，集成电路工艺中利用它主要用来（ ），还可以用来（ ）。对芯片互连的金属和金属合金来说，它所必备一些要求是：（ 导电率 ）、高黏附性、（ 淀积 ）、（ 平坦化 ）、可靠性、抗腐蚀性、应力等。在半导体制造业中，最早的互连金属是（ 铝 ），在硅片制造业中最普通的互连金属是（ 铝 ），即将取代它的金属材料是（ 铜 ）。写出三种半导体制造业的金属和合金（ Al ）、（ Cu ）和（ 铝铜合金 ）。阻挡层金属是一类具有（ 高熔点 ）的难熔金属，金属铝和铜的阻挡层金属分别是（W ）和（ W ）。多层金属化是指用来（）硅片上高密度堆积器件的那些（）和（）。被用于传统和双大马士革金属化的不同金属淀积系统是：（）、（）、（）和铜电镀。溅射主要是一个（）过程，而非化学过程。在溅射过程中，（）撞击具有高纯度的靶材料固体平板，按物理过程撞击出原子。这些被撞击出的原子穿过（），最后淀积在硅片