第7章 半导体存储器与可编程逻辑_李燕荣版教材2012.pptx

第七章 半导体存储器和可编程逻辑 7.1 随机存储器（RAM） 7.2 只读存储器（ROM） 7.3 存储器容量的扩展 7.4 可编程逻辑器件 7.5 可编程通用阵列逻辑器件GAL 　　存储器的存储媒介有多种，应用范围也非常广泛。 软磁盘 磁带 硬盘 内存条 光盘 优盘 数码相机用SM卡 7.1 随机存储器（RAM） 半导体存储器的分类如图所示。 7.1 随机存储器（RAM） 半导体存储器的主要技术指标 　　１．存储容量 　　存储器包含基本存储单元的总数。一个基本存储单元能存储１位(Bit)的信息，即一个0或一个1。 存储器的读写操作是以字为单位的，每一个字可包含多个位。 例如： 　　２．存取时间 　　反映存储器的工作速度，通常用读(或写)周期来描述。 7.1 随机存储器（RAM） 一.RAM的结构和工作原理 7.1 随机存储器（RAM） １．MOS静态存储单元 　　当地址码使得Xi和Yj均为高电平时，表示选中该单元，即可以对它进行读写操作。 　　由于数据由触发器记忆，只要不断电，信息就可以永久保存。 　　采用CMOS管，所以静态功耗极小。 二.RAM的存储单元 7.1 随机存储器（RAM） 2．MOS动态存储单元 7.1 随机存储器（RAM） 　由于分布电容 CD ＞＞ C，所以位线上的读出电压信号很小，需用高灵敏度读出放大器进行放大；且每次读出后必须立即对该单元进行刷新，以保留原存信息。 　　动态存储单元的结构比静态存储单元简单，可达到更高的集成度；但DRAM不如SRAM使用方便，且存取时间较长。 单管动态存储单元 三.集成RAM 7.1 随机存储器（RAM） 1K×4 7.1 随机存储器（RAM） 四.RAM的扩展 1.RAM的位扩展 2.RAM的字扩展 3.RAM的字位同时扩展 7.3 存储器容量的扩展 1.RAM的位扩展 用2片2114RAM扩展成1K×8位的 7.3 存储器容量的扩展 2.RAM的字扩展 用4片2114RAM扩展成4K×4位的 7.3 存储器容量的扩展 3.RAM的字位同时扩展 试用1024×4位RAM实现4096×8位存储器。 7.3 存储器容量的扩展 一.ROM的结构和工作原理 7.2 只读存储器（ROM） 7.2 只读存储器（ROM） 二.可编程ROM（PROM） 7.2 只读存储器（ROM） 若将熔丝烧断，该单元则变成“0”。显然，一旦烧断后不能再恢复。 例题: 7.4 可编程逻辑器件PLD 可编程逻辑器件的特点 减少系统的硬件规模。 (2)增强逻辑设计的灵活性。 (3)缩短系统设计周期。 (4)简化系统设计，提高系统速度。 (5)降低系统成本。 PLD逻辑表示方法一 一.阵列交叉点的逻辑表示 7.4 可编程逻辑器件PLD 二.基本逻辑门的表示 7.4 可编程逻辑器件PLD 三.与门的省缺情况 7.4 可编程逻辑器件PLD PLD逻辑表示方法二 四.PLD的三种形式 7.4 可编程逻辑器件PLD 7.4.1 可编程逻辑阵列 PLA 例1: 试用PLA实现四位二进制码转换为 格雷码的转换电路 二进制代码 B3B2B1B0 格雷码 G3G2G1G0 0000 0000 0001 0001 0010 0011 0011 0010 0100 0110 0101 0111 0110 0101 0111 0100 1000 1100 1001 1101 1010 1111 1011 1110 1100 1010 1101 1011 1110 1001 1111 1000 二进制代码 B3B2B1B0 格雷码 G3G2G1G0 0000 0000 0001 0001 0010 0011 0011 0010 0100 0110 0101 0111 0110 0101 0111 0100 1000 1100 1001 1101 1010 1111 1011 1110 1100 1010 1101 1011 1110 1001 1111 1000 7.4.1 可编程逻辑阵列 PLA 7.4.1 可编程逻辑阵列 PLA 7.4.1 可编程逻辑阵列 PLA 7.4.1 可编程逻辑阵列 PLA 例3 7.4.1 可编程逻辑阵列 PLA 7.4.2 可编程逻辑阵列 PAL 7.5 可编程通用阵列逻辑器件GAL 20世纪80年代初，美国Lattice半导体公司研制。 GAL的结构特点：输出端有一个组态可编程的输出逻辑宏单元OLMC，通过编程可以将GAL设置成不同的输出方式。 GAL16V8 7.5 可编程通用阵列逻辑器件GAL 作业: 7.7, 7.23