第一讲模块5-半导体器件和应用二极管.pptVIP

4、光电耦合器 又称光电隔离器。是发光器件和受光器件的组合体。 输入电路 输出电路 输入和输出电路之间没有电的直接联系，实现电路之间的电气隔离，具有良好的抗干扰性。 上一页 下一页 返 回 下一节 上一节 * * 二极管的测试 1.二极管极性的判定 将指针万用表置于R*1K，调零后将红、黑表笔分别接二极管的两个电极，若测得的电阻值很小（几千欧以下），则黑表笔所接电极为二极管正极，红表笔所接电极为二极管的负极；若测得的阻值很大（几百千欧以上），则黑表笔所接电极为二极管负极，红表笔所接电极为二极管的正极，如下图所示。 * 2、二极管好坏的判定 （1）若测得的反向电阻很大（几百千欧以上），正向电阻很小（几千欧以下），表明二极管性能良好。 （2）若测得的反向电阻和正向电阻都很小，表明二极管短路，已损坏。 （3）若测得的反向电阻和正向电阻都很大，表明二极管断路，已损坏。 * 2. PN结的单向导电性 如果在PN结两端加上不同极性的电压，PN结会呈现出不同的导电性能。 （1）PN结外加正向电压 PN结P端接高电位，N端接低电位，称PN结外加正向电压，又称PN结正向偏置，简称为正偏。 PN结外加正向电压(正向偏置) 如左图所示： 正向偏置时外加电场与内电场方向相反，内电场被削弱，多子的扩散运动大大超过少子的漂移运动，N区的电子不断扩散到P区，P区的空穴也不断扩散到N区，形成较大的正向电流，这时称PN结处于导通状态。 * （2）PN结外加反向电压 PN结P端接低电位，N端接高电位，称PN结外加反向电压，又称PN结反向偏置，简称为反偏。 P端接电源负极，N端接电源正极： 反向偏置时内、外电场方 向相同，因此内电场增强，致使 多子的扩散难以进行，即PN结对 反向电压呈高阻特性；反偏时少 子的漂移运动虽然被加强，但由 于数量极小，反向电流 IR一般情 况下可忽略不计，此时称PN结处 于截止状态。 PN结的“正偏导通，反偏阻断”称为其单向导电性质，这正是PN结构成半导体器件的基础。 * 半导体二极管 二极管 = PN结 + 管壳 + 引线 N P 结构 符号 阴极 - 阳极 + 一个PN结半导体二极管,同PN结一样具有单向导电性。 * 一、二极管按结构分三大类： (1) 点接触型二极管 PN结面积小，结电容小， 用于检波和变频等高频电路。 按PN结分 点接触型 面接触型 按材料分 硅管 锗管 按用途分 普通管 整流管 …… * (3) 平面型二极管 用于集成电路制造工艺中。 PN 结面积可大可小，用 于高频整流和开关电路中。 (2) 面接触型二极管 PN结面积大，用 于工频大电流整流电路。 * 二、半导体二极管的型号 国家标准对半导体器件型号的命名举例如下： 2AP9 用数字代表同类器件的不同规格。 代表器件的类型，P为普通管，Z为整流管，K为开关管。 代表器件的材料，A为N型Ge，B为P型Ge， C为N型Si， D为P型Si。 2代表二极管，3代表三极管。 * * 三、二极管的伏安特性 1、PN 结的伏安方程 反向饱和电流10-8---10-14A 温度的 电压当量 电子电量 玻尔兹曼常数1.38*10-23J/K 当 T = 300(27?C)： UT = 26 mV 二极管两端的电压U及其流过二极管的电流I之间的关系曲线，称为二极管的伏安特性 * （1）正向特性 二极管外加正向电压时，电流和电压的关系称为二极管的正向特性。如下图所示，当二极管所加正向电压比较小时（0UUth），二极管上流经的电流为0，管子仍截止，此区域称为死区，Uth称为死区电压（门坎电压）。硅二极管的死区电压约为0.5V，锗二极管的死区电压约为0.1V。导通后二极管的正向压降变化不大，硅管约为0.6～0.8V，锗管约为0.2～0.3V。 u E i V mA * （2）反向特性 二极管外加反向电压时，电流和电压的关系称为二极管的反向特性。由下图可见，二极管外加反向电压时，反向电流很小（I≈IS），而且在相当宽的反向电压范围内，反向电流几乎不变，因此，称此电流值为二极管的反向饱和电流。 u E i V uA * （3）反向击穿特性 从伏安特性图可见，当反向电压的值增大到UBR时，反向电压值稍有增大，反向电流会急剧增大，称此现象为反向击穿，UBR为反向击穿电压。利用二极管的反向击穿特性，可以做成稳压二极管，但一般的二极管不允许工作在反向击穿区。 * 反向击穿类型： 电击穿 热击穿 反向击穿原因： 齐纳击穿： (Ze