华南理工大学半导体物理第二节课件.pptVIP

* * * * * 杂质的补偿作用 当NDNA时 n= ND-NA ≈ ND，半导体是n型的 当NDNA时 p= NA-ND ≈ NA，半导体是p型的 当ND≈NA时 补偿半导体 有效杂质浓度 补偿后半导体中的净杂质浓度。 深能级杂质 非III、V族元素 特点 多为替位式杂质 硅、锗的禁带中产生的施主能级距离导带底和价带顶较远，形成深能级，称为深能级杂质。 深能级杂质能够产生多次电离，每次电离均对应一个能级。 金是I族元素 故可失去一个电子，施主能级略高于价带顶； 也可得到三个电子，形成稳定的共价键结构。但由于库仑力的排斥作用，后获得电子的电离能大于先获得电子的电离能。即EA3EA2EA1。 金在各种存在ED、 EA3、EA2、EA1四个孤立能级。 点缺陷 热缺陷（由温度决定） 弗伦克尔缺陷 成对出现的间隙原子和空位 肖特基缺陷 只形成空位而没有间隙原子 对于化合物半导体，偏离正常的化学比 化合物半导体中的替位原子 空位易于间隙原子出现 因为空位周围有四个不成对电子，所以空位表现出受主作用； 每个间隙原子有四个可以失去的电子，所以表现出施主作用。 GaAs中的镓空位和砷空位均表现为受主作用； 离子性强的化合物半导体（M,X），正离子空位是受主，负离子空位是施主，金属原子为间隙原子时为施主，非金属原子为间隙原子时为受主。 离子性弱的二元化合物AB，替位原子AB是受主，BA是施主。 位错 锗中的60°棱位错 （111）面内位错线[10-1]和滑移方向[1-10]之间的夹角是60° 锗中位错具有受主及施主的作用 晶格畸变 Thank you for listening * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * 上式可改写为 K空间等能面是环绕k0的一系列椭球面 回旋共振 将一块半导体样品至于均匀恒定的磁场中，设磁感应强度为B，如半导体中电子初速度为v，v与B间夹角为θ，则电子收到的磁场力F为 力的大小为 在垂直于磁场的平面内作匀速圆周运动，速度 沿磁场方向做匀速运动，速度 运动轨迹为一螺旋线。若回旋频率为ωc，则 若等能面为球面，根据 ，可得 测出共振吸收时电磁波频率和测感应强度，即可以求出有效质量。 若有效质量为各向异性的，则等能面为椭球面 沿 轴方向有效质量分别为 设B 沿 轴的方向余弦分别是 则电子所受力为: 电子运动方程为: 令试探解: 由系数行列式为零，可求得 第二章 半导体能带 2.1 电子波涵数 2.2 薛定谔方程 2.3 薛定谔方程在晶体能带中的应用 2.4 半导体中电子的运动 2.5 回旋共振 2.6 硅、锗和砷化镓能带结构 2.7 半导体中的杂质能级 布里渊区 晶体的能带结构是指能量E与波矢K之间的关系 由于用三维图象不能表示出E和三维波矢K的关系，所以通常都在两个主要方向上给出E与K的关系 电子的能带结构E（K）在倒（波矢）空间具有倒格子的周期对称性，能带的这种周期性重复，不引起新的独立状态 为了寻找电子的独立状态，需要把倒空间划分成一些周期性重复单元，并进一步把波矢K限制在一个独立单元中 布里渊区是把倒（波矢）空间所划分成的一些区域 布里渊区的划分 在倒空间中，做原点与所有倒格点的连线的中垂面，这些平面便把倒空间划分成一些区域。 距原点最近的一个区域叫第一布里渊区 距原点次近的若干个区域为第二布里渊区 以此类推 这些中垂面便是布里渊区的分解面 布里渊区的特点 每个布里渊区的体积都相等，而且就等于倒原胞的体积 每个布里渊区的各个部分，经过平移适当的倒格矢后，可使一个布里渊区与另一个布里渊区相重合 每个布里渊区都是以原点为中心而对称分布，且具有正格子和倒格子的点群对称性 注意 布里渊区的划分只与晶格周期性结构有关，而不依赖于每个原胞中原子的排列具体情况。 凡是周期性相同的晶体，其布拉菲格子相同，倒格子相同，从而布里渊也相同 0 b1 b2 一维格子 倒格子原胞： 作由原点出发的诸倒格矢的垂直平分面，这些平面完全封闭形成的最小的多面体（体积最小）------第一布里渊区。 b1 b2 0 二维格子 倒格子原胞和布里渊区 ? ? ? ? a b ? ? ? ? 构成第一布里渊区（简约布里渊区）的垂直平分线的方程式如下： ? x=±?/a 及 ? y=±?/a 第二布里渊区的各个部分分别平移一个倒格矢，可以同第一区重合。第三布里渊区的各个部分分别平移适当的倒格矢也能同第一区重合。