三极管特性曲线参数及场效应管-模拟电子传感器技术知识.pptVIP

双极型半导体三极管的特性曲线; 共发射极接法的供电电路和电压-电流关系如图02.04所示。; 简单地看，输入特性曲线类似于发射结的伏安特性曲线，现讨论iB和vBE之间的函数关系。因为有集电结电压的影响，它与一个单独的PN结的伏安特性曲线不同。 为了排除vCE的影响，在讨论输入特性曲线时，应使vCE=const(常数)。; 共发射极接法的输入特性曲线见图02.05。其 中vCE=0V的那一条相当于发射结的正向特性曲线。 当vCE≥1V时， vCB= vCE - vBE0，集电结已进入反 偏状态，开始收集电子，且基区复合减少， IC / IB 增大，特性曲线将向右稍微移动一些。但vCE再增 加时，曲线右移很不明 显。曲线的右移是三极 管内部反馈所致，右移 不明显说明内部反馈很 小。输入特性曲线的分 区：①死区 ②非线性区 图02.05 共射接法输入特性曲线 ③线性区 ; (2)输出特性曲线;半导体三极管的参数; 在放大区基本不变。在共发射极输出特性 曲线上，通过垂直于X轴的直线(vCE=const)来求 取IC / IB ，如图02.07所示。在IC较小时和IC较大 时， 会有所减小，这一关系见图02.08。; 2.共基极直流电流放大系数 =（IC－ICBO）/IE≈IC/IE 显然 与 之间有如下关系: = IC/IE= IB/?1+ ?IB= /?1+ ?; ②极间反向电流 1.集电极基极间反向饱和电流ICBO ICBO的下标CB代表集电极和基极，O是 Open的字头，代表第三个电极E开路。它相当于 集电结的反向饱和电流。 ; 图02.09 ICEO在输出特性曲线上的位置;(2)交流参数 ①交流电流放大系数 1.共发射极交流电流放大系数? ?=?IC/?IB?vCE=const; 2.共基极交流电流放大系数α α=?IC/?IE? VCB=const 当ICBO和ICEO很小时，≈?、≈?，可以不加区分。; (3)极限参数 ①集电极最大允许电流ICM;②集电极最大允许功率损耗PCM; ③反向击穿电压; 1.V(BR)CBO——发射极开路时的集电结击穿电压。 下标BR代表击穿之意，是Breakdown的字头，CB 代表集电极和基极，O代表第三个电极E开路。 ; 由PCM、 ICM和V(BR)CEO在输出特性曲线上可以确定过损耗区、过电流???和击穿区，见图02.12。 图02.12 输出特性曲线上的过损耗区和击穿区 ;半导体三极管的型号; 表02.01 双极型三极管的参数;1.4.1 结型场效应三极管; (2) 结型场效应三极管的工作原理;(a) 漏极输出特性曲线 (b) 转移特性曲线 图02.22 N沟道结型场效应三极管的特性曲线 ;1.4.2 绝缘栅场效应三极管的工作原理;; 0＜VGS＜VGS(th) ; VGS对漏极电流的控制关系可用 ID=f(VGS)?VDS=const 这一曲线描述，称为转移特性曲线，见图02.14。; 图02.14 VGS对漏极电流的控制特性——转移特性曲线 ; 当VDS为0或较小时相当VGD＞VGS(th)，沟道 呈斜线分布。;; (1) VDS 0，VGS=0， ID不等于零。 （2）VGS＞0时，ID 。 （3）VGS＜0时，ID 。; (a) 结构示意图 (b) 转移特性曲线 图02.17 N沟道耗尽型MOSFET的结构 和转移特性曲线 ; (3)P沟道耗尽型MOSFET; 图02.18 各类场效应三极管的特性曲线;绝缘栅场效应管;结型场效应管;2.2.4 场效应三极管的参数和型号; ④ 输入电阻RGS 场效应三极管的栅源输入电阻的典型值，对于结型场效应三极管，反偏时RGS约大于107Ω，对于绝缘栅型场效应三极管, RGS约是109～1015Ω