2010版模电第三章习题和解答.doc

习 题 3.1 在晶体管放大电路中，测得两个晶体管各个电极的电流如图P3.1所示，试分别标出各个晶体管的管脚e、b和c ；判断各晶体管是NPN型还是PNP型；并分别估算它们的(值。 图P3.1 答：（a）从左至右依次为b， e， c，NPN，40 （b）从左至右依次为b， c， e，PNP，60 3.2用直流电压表测得电路中晶体管各电极的对地静态电位如图P3.2所示，试判断这些晶体管分别处于什么状态。 A．放大 B．饱和 C．截止 D．损坏 ⑴ ； ⑵ ； ⑶ ； ⑷ ； ⑸ 。 图P3.2 解：（1）A；（2）A；（3）C；（4）D；（5）B 3.3 某晶体管的输出特性如图P3.3所示，试求出该管子的、、、和PCM。 图P3.3 解：≈100，≈0.99，ICEO＝10(A ，≈55V，PCM≈100mW 3.4电路如图P3.4所示，已知晶体管(＝50，在下列情况下，用直流电压表测晶体管的集电极电位，应分别为多少？设VCC＝12V，晶体管饱和管压降VCES＝0.5V。 （1）正常情况 （2）Rb1短路 （3）Rb1开路 （4）Rb2开路 （5）RC短路 图P3.4 解：设VBE＝0.7V。则 （1）基极静态电流 （2）由于VBE＝0V，晶体管截止，VCE＝12V。 （3）由于基极电流 故晶体管饱和，VCE＝VCES＝0.5V。 （4）晶体管截止，VCE＝12V。 （5）由于集电极直接接直流电源，故VCE＝VCC＝12V。 3.5 在图P3.5所示电路中，T为硅晶体管，β＝50。当开关S分别接到A、B、C端时，判 断晶体管的工作状态（放大、饱和、截止），并确定VO的近似值。 图P3.5 解：S接A时，T放大 ， VO ≈ 3.35V S接B时，T饱和 ， VO ≈0V（0.1～0.5V） S接C时，T截止 ， VO ≈ 6V 3.6 试分析图P3.6所示各电路是否能够放大正弦交流信号，简述理由。设图中所有电容对交流信号均可视为短路。 图P3.6 解：（a）不能放大，因输入信号被直流电源短路了。 （b）不能放大，因晶体管的发射结处于反向偏置状态。 （c）不能放大，因输出端直接接于电源，输出信号被短路。 （d）不能放大，因输出端接于两端，输出信号被短路。 3.7放大电路及晶体管输出特性如图P3.7所示。设晶体管的VBEQ＝0.7V，VCES0.5V，电容容量足够大，对交流信号可视为短路。 1）估算静态时的IBQ； 2）用图解法确定静态时的ICQ和VCEQ； 3）用图解法分别求出RL＝∞和RL＝1.5kΩ时的最大不失真输出电压幅值VOM。 图P3.7 解：1）IBQ≈60(A 2）作直流负载线如图所示，由图可读出ICQ≈6mA，VCEQ≈6V 3）作交流负载线，由图可读出Vom＋≈4.5V，Vom－≈VCEQ－VCES≈5.5V， 故Vom＝Vom＋＝4.5V 3.8放大电路及晶体管输出特性如图P3.8所示。按下列不同条件估算静态电流IBQ（取），并用图解法确定静态工作点Q（标出Q点位置和确定ICQ、VCEQ的值）。 分析偏置电阻、集电极电阻和电源电压变化对静态工作点Q的影响。 1) VCC＝12V，＝150，＝2，求Q1； 2) VCC＝12V，＝110，＝2，求Q2； 3) VCC＝12V，＝150，＝3，求Q3； 4) VCC＝8V， ＝150，＝2，求Q4。 图P3.8 解：Q点见图 1）Q1：IBQ≈75(A， ICQ≈4mA， VCEQ≈4V 2）Q2：IBQ≈100(A， ICQ≈5.2mA， VCEQ≈1.7V. 3）Q3：IBQ≈75(A， ICQ≈3.5mA， VCEQ≈1.5V 4）Q4：IBQ≈49(A， ICQ≈2.5mA， VCEQ≈3V 由以上结果可总结出偏置电阻、集电极电阻和电源电压变化对静态工作点Q的影响如下： 偏置电阻Rb增大，Q点沿直流负载线向右下方移动，容易进入截止区； 集电极电阻Rc增大，Q点向左移动，容易进入饱和区； 电源电压VCC增大，Q点向右上方移动，可增大最大不失真输出电压。 3.9 图P3.9所示电路中，由于电路参数不同，在输入电压为正弦波时，测得输出电压波形分别如图P3.16(a)、(b)、(c)所示，试说明电路分别产生了什么失真，如何消除（不许改变负载电阻）? 解：（a）饱和失真，增大Rb