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第四章 三极管及其放大电路 §4.1 一、问答题： 1. 能否用两个二极管背靠背地连接构成一个BJT？ 答：不能，因为BJT除了由两个背靠背PN结构成外，还需满足三个内部条件。 2. BJT 的e极、c极能否交换使用？ 答：不能，因为e极、c极所对应区域的掺杂浓度和横截面积均不相同。 二、填空题： 1. 三极管实现放大的三个内部条件是（发射区掺杂浓度最高）、（基区最窄）、（集电区横截面积最大）。 2. 三极管具有放大作用的外部电压条件是发射结（正偏），集电结（反偏）。 3. 三极管工作在饱和区时，发射结（正偏）,集电结（正偏）； 工作在截止区时，发射结（反偏）,集电结（反偏）。 4. 工作在放大区的某三极管，如果当IB从12μA增大到22μA时，IC从1mA变为2mA，那么它的β约为（ 100 ）。 5. 工作在放大状态的三极管，流过发射结的电流主要是（多子的扩散流），流过集电结的电流主要是（漂移电流）。（扩散电流/漂移电流） 6. 反向饱和电流是由（少数）载流子形成，其大小与（温度）有关，而与外加电压（无关）。 7．测得某放大电路中三极管的三个电极A、B、C对地点的电位分别为-11、-6、-6.7，则A电极为（ 集电 ） 极，B电极为（ 发射 ）极，Ｃ电极为（ 基极 ）极。 三、 1．从下图所示各三极管电极上测得的对地电压数据中，分析各管的类型以及它在电路中所处的工作状态。 是锗管还是硅管？ 是NPN型还是PNP型？ 是处于放大、截止或饱和状态中的哪一种？或是已经损坏？（指出哪个结已坏，是烧断还是短路？） 提示：注意在放大区，硅管，锗管，且0.7V；而处于饱和区时，。 解： (a) NPN硅管，工作在饱和状态； (b) PNP锗管，工作在放大状态； (c) PNP锗管，管子的b-e结已开路； (d) NPN硅管，工作在放大状态； (e) PNP锗管，工作在截止状态； (f) PNP锗管，工作在放大状态； (g) NPN硅管，工作在放大状态； (h) PNP硅管，工作在临界饱和状态。 2．测得放大电路中的两只晶体管的各电极直流电位如图3.2所示。试在圆圈中画出管子，并分别说明它们是硅管还是锗管。 3．已知两只晶体管的电流放大系数β分别为50和100，现测得放大电路中这两只管子两个电极的电流如图所示。试分别求另一电极的电流，标出其实际方向，并在圆圈中画出管子。 四、电路如图所示，晶体管导通时UBE＝0.7V，β=50。试分析UBB为0V、1V、1.5V三种情况下T的工作状态及输出电压UO的值。 解：（1）当UBB＝0时，T处于截止状态，UO＝12V。 （2）当UBB＝1V时，因为 （3）当UBB＝3V时，因为 五、 (1) 有两只晶体管，一只的β＝200，ICEO＝200μA；另一只的β＝100，ICEO＝10μA，其它参数大致相同。你认为应选用哪只管子？为什么？ 答：应选用β＝100，ICEO＝10μA的管子，可使管子在构成放大电路时温度稳定性高。 (2) 当温度升高时，三极管的β（增大），反向饱和电流ICBO( 增大 ) , UBE( 减小 )，最终导致集电极电流 IC（增大）。 (3) 三极管的安全工作区受哪些极限参数的限制？使用时，如果超过某项极限参数，试分别说明将会发生什么结果。 答：三极管的安全工作区受PCM、ICM、U(BR)CEO三个极限参数的限制。 PCM过大，集电结发热，结温上升，当结温超过最高工作温度（硅管150℃，锗管70℃）时，BJT性能下降，甚至会烧坏。 ICM过大，BJT不一定会烧坏，但β值将过小，放大能力太差。 U(BR)CEO过大，使ICEO明显增大，导致集电结出现雪崩击穿。 §4.2 一、（1）放大电路组成原则有哪些？利用这些原则分析（2）题 （2）试分析图示各电路是否能够放大正弦交流信号，简述理由。设图中所有电容对交流信号均可视为短路。 答：（1）放大电路组成原则：设置合适的静态工作点（即保证发射结正偏，集电结反偏）； 保证交流信号畅通无阻。 （2）a. 不能，ui被VBB短路； b. 能； c. 不能，ui不能直接驮载在静态电压之上，其间需加隔直流电容器； d. 不能，发射极回路无电阻会使回路电流过大而烧坏BJT。另外实用电路中交、直流电源不能串 联使用，它们的电源负极需共