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发表文章 论文 顾捷, 栾伟玲, 曹懿,徐宏. TiO2/β-Zn4Sb3复合热电材料的制备及性能研究. 华理学报(已投稿). * 从图上可以观察到,单相β-Zn4Sb3颗粒的表面比较光整,当加入纳米TiO2粉末后,由于其在基体表面的聚集,导致了单相β-Zn4Sb3颗粒表面被覆盖了一层TiO2粉末;随着纳米TiO2粉末加入量的增加,其在基体材料表面的覆盖率也越来越大。对一些颗粒度较小的β-Zn4Sb3颗粒,纳米TiO2在其表面甚至实现了包裹。复合材料中这些加入的纳米第二相对于烧结成型后的块体材料的热电性能将产生重大的影响。 * 影响半导体材料电导率的因素有很多,一般认为主要有载流子的类型、浓度、迁移率以及材料缺陷等等。而对于TiO2/β-Zn4Sb3复合材料而言,影响其电导率的原因主要是形成复合材料后,在晶界和晶体内部分散的纳米第二相对载流子的散射作用,使得复合材料的电导率降低。 在25oC-400oC测试温度范围内,随着温度的升高所有在此处键入公式。样品的Seebeck值都增大;且随着纳米TiO2含量的增加,复合材料的Seebeck值增加的幅度越大。纳米TiO2含量7%的样品在370oC时,其Seebeck值比单相β-Zn4Sb3的Seebeck值提高了11.3%。复合材料Seebeck值的提高,主要原因是TiO2纳米第二相的引入降低了载流子的迁移率,从而提高了Seebeck值。 加入纳米TiO2第二相后,复合材料的功率因子在测试温度范围内都明显低于未掺杂的单相β-Zn4Sb3,其原因是由于加入第二相后材料的电导率显著下降,而Seebeck值增加有限。随着纳米TiO2含量的增加,复合材料的功率因子下降幅度更大。 * 加入纳米TiO2后,复合材料的热导率显著下降,纳米TiO2含量越多,复合材料热导率下降越明显,但是纳米TiO2含量7%的样品,其热导率反而有所升高,这可能与制备过程中纳米TiO2团聚有关;在整个测试温度范围内,复合材料热导率的变化趋势同基体材料β-Zn4Sb3的一致。纳米TiO2含量5%的样品,在300oC时热导率为0.64W?m-1?K-1,仅为基体材料的80%。 对于热电材料来说,其材料热导率κ由载流子热导率κc和晶格热导率κL两部分组成: TiO2含量为5%的复合材料在370oC时的晶格热导率为0.47W?m-1?K-1,与单相β-Zn4Sb3的0.54W?m-1?K-1相比降低了13%。 通过掺杂纳米TiO2可以显著降低β-Zn4Sb3的热导率,并且对复合材料载流子热导率的影响较为显著。分析复合材料热导率显著下降的原因主要有三个:首先是加入的纳米TiO2第二相本身的热导率低于β-Zn4Sb3的热导率;其次,纳米TiO2第二相弥散分布在基体材料中形成的大量晶界、相界等缺陷,这些缺陷形成新的声子散射中心,对声子的运动产生强烈的散射,降低了材料的晶格热导率[55]。第三,加入纳米TiO2后,材料的电导率显著下降,根据Wiedemanmn-Franz定律,材料的载流子热导率也显著降低了,导致了复合材料热导率的下降。 * 由水解所产生的TiO2微粒十分细小,基体粉末β-Zn4Sb3表面被水解产生的TiO2颗粒均匀覆盖,且伴随着TiO2含量的增加,基体β-Zn4Sb3表面的TiO2覆盖层从一开始的疏松状态变得越来越密实。这说明水解过程中产生的TiO2微粒很好地沉积到了基体材料之上。 * 所有样品的断口形式都是穿晶断口。SPS烧结后块体样品非常致密,水解生成的TiO2微粒,经过SPS烧结后在β-Zn4Sb3基体的晶界处聚集。这些弥散的TiO2微粒,在复合材料内部形成新的散射中心,将对后续测试的材料热电性能产生影响。 * TiO2第二相起到了阻碍材料内部载流子迁移的作用,即降低了载流子的迁移率,并且这种阻碍作用随着第二相TiO2含量的增加逐渐增大,造成了复合材料的电导率在同一个温度点的时候随着TiO2含量的增加而显著降低。 在整个测试温度区间,复合材料电导率的变化趋势与单相β-Zn4Sb3基本一致,都表现为先降低到一定的温度点后有所回升的趋势,呈现出典型的重掺杂半导体特性。(单相β-Zn4Sb3的电导率从室温时的4.4×104S?m-1开始,随着温度的升高不断降低,在240oC时达到最低值,约为2.89×104S?m-1,之后由于本征激发而有所回升。)从图上可以看出,不同TiO2含量的复合材料其本征激发的温度点是不一样的,并且呈现出随第二相TiO2含量的增加其本征激发温度逐渐降低的规律。 所有复合样品的Seebeck系数均高于单相β-Zn4Sb3材料,从室温到400oC,复合材料的Seebeck系数随温度的升高呈单调上升的趋势,
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