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2012高三物理二轮复习_专题十八电磁感应中的能量问题测试
专题测试
1.光滑曲面与竖直平面的交线为抛物线,如图所示。抛物线的方程为y=x2,下半部处在一个水平方向的匀强磁场中,磁场的上边界是y=a的直线(图中虚线所示)。一个金属块从抛物线上y=b(ba)处以速度v沿抛物线下滑。假设抛物线足够长,金属块沿抛物线下滑后产生的焦耳热的总量为
A.mgb
B.mv2
C.mg(b-a)
D.mg(b-a)+mv2
解析:由于轨道是光滑的,所以金属块在滑动的过程中机械能的损失发生在进、出磁场的过程中。通过电磁感应产生焦耳热,最终物块将在磁场区域内以磁场上边界为极端位置做往复运动。产生的焦耳热的总量等于金属块由b高处降到a高处减少的重力势能与金属块的初动能之和。D
2、如图所示,平行金属导轨与水平面成θ角,导轨与固定电阻R1和R2相连,匀强磁场垂直穿过导轨平面.有一导体棒ab,质量为m,导体棒的电阻与固定电阻R1和R2的阻值均相等,与导轨之间的动摩擦因数为μ,导体棒ab沿导轨向上滑动,当上滑的速度为v时,受到安培力的大小为F。此时
A.电阻R1消耗的热功率为Fv/3
B.电阻 R。消耗的热功率为 Fv/6
C.整个装置因摩擦而消耗的热功率为μmgvcosθ
D.整个装置消耗的机械功率为(F+μmgcosθ) E=BLv,回路总电流 I=E/1.5R,安培力 F=BIL,所以电阻 R1 的功率 P1=(0.5I)2 R=Fv/6, B 选项正确。由于摩擦力 f=μmgcosθ,故因摩擦而消耗的热功率为 μmgvcosθ。整个装置消耗的机械功率为(F+μmgcosθ)v。
答案:BCD
3.平行金属导轨MN竖直放置于绝缘水平地板上,如图所示,金属杆PQ可以紧贴导轨无摩擦滑动,导轨间除固定电阻R以外,其它部分电阻不计,匀强磁场B垂直穿过导轨平面,以下有两种情况:第1次,先闭合开关S,然后从图中位置由静止释放PQ,经一段时间后PQ匀速到达地面;第2次,先从同一高度由静止释放PQ,当PQ下滑一段距离后突然闭合开关S,最终PQ也匀速到达了地面。设上述两种情况PQ由于切割磁感线产生的电能(都转化为热)分别为W1、W2,则可以判定 ( )
A.W1 W2
B.W1 = W2
C.W1 W2
D.以上结论都不正确
解析:两种情况下,PQ最终速度都相等,由能量守恒可得W1 = W2
答案:B
4.如图所示,空间有一个方向水平的有界匀强磁场区域,一个矩形导线框,自磁场上方某一高度处自由下落,然后进入磁场。进入磁场时,导线框平面与磁场方向垂直。则在进入时,导线框可能
A.变加速下落
B.变减速下落
C.匀速下落
D.匀加速下落
线框进入磁场受两力:重力 mg、磁场力 F=,当mg>时,做变加速运动,选项A正确;mg<时,做变减速运动,选项 B 正确;mg =时,做匀速运动,选项 C 正确。ABC
5.如图,甲、乙两个完全相同的线圈,在距地面同一高度处由静止开始释放,A、B是边界范围、磁感应强度的大小和方向均完全相同的匀强磁场,只是A的区域比B的区域离地面高一些,两线圈下落时始终保持线圈平面与磁场垂直,则( )
A. 甲先落地。
B. 乙先落地。
C. 二者同时落地。
D. 无法确定。
解析:先比较甲、乙线圈落地速度的大小。乙进入磁场时的速度较大,则安培力较大,克服安培力做功较多,即产生的焦耳热较多。由能量守恒定律可知,乙线圈落地速度较小。
线圈穿过磁场区域时受到的安培力为变力,设受到的平均安培力为F,穿过磁场时间为,下落全过程时间为,落地时的速度为v,则全过程由动量定理得
=。
而 , 所以。
可见,两下落过程安培力的冲量相等。
因为: 所以
即:乙线圈运动时间较短,先落地。
答案:B。
6.如图所示,一个闭合金属圆环用绝缘细线挂于O点,将圆环拉离平衡位置并释放,圆环摆动过程中经过有界的水平匀强磁场区域,A,B为该磁场的竖直边界,若不计空气阻力,则
A.圆环向右穿过磁场后,还能摆至原来的高度
B.在进入和离开磁场时,圆环中均有感应电流
C.圆环进入磁场后离平衡位置越近速度越大,感应电流也越大
D.圆环最终将静止在平衡位置。解析:如图所示,当圆环从1位置开始下落,进入磁场时(即2和3位置),由于圆环内磁通量发生变化,所以有感应电流产生。同时金属圆环本身有内阻,必然有能量的转化,即有能量的损失。因此圆环不会摆到4位置。随着圆环进出磁场,其能量逐渐减少圆环摆动的振幅越来越小。当圆环只在匀强磁场中摆动时,如图16-4-13所示。圆环内无磁通量的变化,无感应电流产生,无机械能向电能的转化。题意中不存在空气阻力,摆线的拉力垂直于圆环的速度方向,拉力对圆环不做功,所以系统的能量守恒,所以圆环将在AB间来回摆动。答案:B如
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