第五章结型场效应晶体管与金属-半导体场效应晶体管.ppt

* * * * * * * * * * * * * * * * 静态特性 在图中又画出抛物线 式中，IDSS表示栅极电压为零（即栅源短路）时的漏极饱和电流。 静态特性 JFET的转移特性 静态特性 实验发现，即使在y方向为任意非均匀的杂质分布，所有的转移特性都落在图中所示的两条曲线之间。在放大应用当中，通常工作在饱和区，并且在已知栅电压信号时，可利用转移特性求得输出的漏极电流。并且饱和区的起始电压（夹断电压）和终止电压（雪崩击穿电压）都会随着栅源控制电压的绝对值升高而降低，这是因为栅源电压反偏升高时沟道变薄，空间电荷区在漏端扩展的余地变小。 静态特性 击穿电压 导电沟道的漏端一旦变成空间电荷区，漏源电压的的持续上升就主要降落在这个高阻区域，其中的电场将会越来越强，会出现空间电荷区中载流子倍增的雪崩电离效应，只要漏源电压有微小的增加，都会引起漏极电流的急剧上升，最终导致器件击穿。击穿首先发生在沟道的漏端，那里有最高的反偏电压。此时击穿电压表示为; VBS=VD+|VG| 式中，VD为击穿时的漏电压。 小信号参数和等效电路 JFET所包含的电学特性。 具有源电阻和漏电阻的JFET 小信号参数和等效电路 漏极导纳（输出导纳）gdl 漏极导纳定义为漏极电流对漏极电压的变化率，在线性区，可以得到漏极导纳的表达式： 从式中可以看出漏极导纳与外加栅极电压的关系。 小信号参数和等效电路 跨导gm 跨导gm定义为漏极电流对栅极电压的变化率，反映出晶体管的增益。 线性区的跨导可以推导出： 饱和区的跨导可以推导出： 跨导标志了JFET的放大能力。 小信号参数和等效电路 栅源扩散电容rgs和栅漏扩散电阻rgd 栅极漏泄电流用和表示，它们是P-N结反向饱和电流﹑产生电流和表面漏泄电流的总和。在平面JFET型中，表面漏泄电流的成分通常很小。在一般器件中，栅极漏泄电流的数值在10-12～10-9A之间，由此得到的输入阻抗大于108Ω。所以说JFET是高输入阻抗的电压控制器件。 栅极总电容CG 栅和沟道之间的P-N结在反偏压下所具有的结电容。令为平均耗尽层宽度，测栅极总电容可以表示为： 小信号参数和等效电路 式中，因子2是考虑了两个P-N结的贡献，ZL为每个结的面积。在VG=0并处于夹断条件下，平均耗尽层宽度为a/2。因而，夹断时的栅极总电容为: 为简化设计，往往用两个集总电容，即栅一漏电容Cgd和栅一源电容Cgs来表示，而不管栅电容的实际分布性质如何。此外，器件封装会在漏极和源极两端引入一个小电容Cds。 漏极电阻rds 它表示了漏电流的不饱和性，是由沟道长度的调制引起的。它的典型值为100～200KΩ。 小信号参数和等效电路 上图中，电阻rgs和rgd通常很大，对于大多数应用可以忽略。如果再忽略源极，漏极串联电阻RS和RD，就得到下图的等效电路，对于大多数应用，此简单电路已经足够。另外，对于低频的应用，电容又可忽略不计。 * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * 第五章 结型场效应晶体管和金属-半导体场效应晶体管 结型场效应晶体管 JFET的基本结构和工作原理 理想JFET的I-V特性 静态特性 小信号参数和等效电路 JFET的基本结构和工作原理 介绍JFET器件 JFET的基本结构和工艺流程 JFET的基本工作原理 沟道夹断、漏电流饱和、夹断电压的概念。 JFET特点及应用 与BJT的比较 JFET的基本结构和工作原理 介绍JFET器件 结型场效应晶体管（JFET）指的是PN结场效应晶体管。JFET和MESFET（金属-半导体场效应晶体管）都是利用栅结的外加电压，控制耗尽层厚度，改变两个欧姆结之间的电阻，进而控制两个欧姆结之间的电流。 这两种结在反偏时空间电荷区的厚度随外加电压变化而变化的规律相似，其工作原理是相同的。不同之处是MESFET用金属-半导体结替代PN结作为栅结。 JFET的基本结构和工作原理 图5-1 由两种工艺制成的沟道JFET （a）外延—扩散工艺（b）双扩散工艺 源极－Source－S 漏极－Drain－D 栅极－Gate－G：上栅、下栅 JFET的基本结构和工艺流程 JFET的基本结构和工作原理 其中结型场效应晶体管半导体芯片的结构与双极型晶体管的芯片结构几乎没有什么区别，只不过在结型场效应晶体管中使用两个重掺杂层。如图5-1（a）所示的采用标准平面外延工艺制成的理想的JFET的N沟道结型场效应晶体管，下边重掺杂的P+层为衬底，在P+层衬底上外延生长掺杂的N型层。上边的重掺杂P+层是通过向N型外延层中扩展硼