第四章 半导体二极管三级管与场效应管.ppt

1、电击穿（可逆） 齐纳击穿Zener 较强的内电场将空间电荷区共价键中的价电子拉出。产生大量的电子空穴对，使空间电荷区的高阻性变差而击穿。掺杂浓度高易击穿。 雪崩击穿 少数载流子在强电场作用下碰撞电离并产生连锁效应，造成空间电荷区中的载流子数目剧增，使Is突然增大。 2、稳压电路原理 §1.3 双极型三极管BJT (Bipolar Junction Transistor) 半导体三极管图片 §1.4 场效应晶体管 一.绝缘栅场效应三极管 (一) N沟道增强型MOSFET 2、工作原理 （2) 漏源电压uDS对漏极电流iD的控制作用 （二）N沟道耗尽型MOSFET 二、结型场效应管 四、场效应管特点 四、PNP型BJT 定量计算中，PNP的电流定义为正，电压定义为负。 作业： P70：1.10 小 结 本节学习重点： 双极性晶体管的结构和类型：NPN、PNP 双极性晶体管的特性曲线 双极性晶体管的参数 晶体管的三个工作状态 特点：（1）一种载流子参与导电。 （2）输入电压控制输出电流。 场效应管与双极型晶体管不同，它是多子导电，输入阻抗高，温度稳定性好。 （1）有电子作为载流子的N沟道器件 （2）空穴作为载流子的P沟道器件。 从参与导电的载流子划分： 2.绝缘栅型场效应三极管IGFET( Insulated Gate Field Effect Transistor) [又称：金属氧化物半导体三极管MOSFET （Metal Oxide Semiconductor FET）] 1.结型场效应三极管JFET (Junction type Field Effect Transistor) 从场效应三极管的结构来划分： 绝缘栅型场效应三极管MOSFET。分为： 增强(Enhancement)型 ? N沟道、P沟道 耗尽(Depletion)型 ? N沟道、P沟道 其中： D(Drain)为漏极,相当C; G(Gate)为栅极,相当B; S(Source)为源极,相当E. 箭头表示PN结的正方向。 图 N沟道增强型 MOSFET结构示意图 N沟道增强型MOSFET基本上是一种左右对称的拓扑结构，它是在P型半导体上生成一层SiO2 薄膜绝缘层，然后用光刻工艺扩散两个高掺杂的N型区，从N型区引出电极,一个是漏极D，一个是源极S。 在源极和漏极之间的绝缘层上镀一层金属铝作为栅极G。P型半导体称为衬底(Substrate)，用符号B表示。 图 N沟道增强型 MOSFET结构示意图 1、基本结构 N沟道增强型 2-3 （1）栅源电压uGS的控制作用 当uGS=0V时，漏源之间相当两个背靠背的 PN结，在D、S之间加上电压不会在D、S间形成电流。 当栅极加有电压时，若0＜uGS＜uGS(th) （ uGS(th) 称为开启电压)，时，通过栅极 和衬底间的电容作用，将靠近栅极下方 的P型半导体中的空穴向下方排斥，出现 了一薄层负离子的耗尽层。同时将衬底中 的电子吸引到耗尽层和绝缘层中间，但数 量有限，不足以形成沟道，不可能形成漏极电流iD。 结论: 在uGS=0V时iD=0，只有当uGS＞uGS(th)后才会出现漏极电流。 这种MOS管称为增强型MOS管。 绝缘栅型 场管 2-4 进一步增加uGS，当uGS＞uGS(th)时由于此时的栅极电压已经比较强，在靠近栅极下方的P型半导体表层中聚集较多的电子，可以形成沟道，将漏极和源极沟通。如果此时加有 漏源电压，就可以形成漏极电流iD。在栅极下方形成的导电沟道中的电子，因与P型半导体的载流子空穴极性相反，故称为反型层。开始形成反型层所需要的值uGS称作， uGS(th)开启电压。随着uGS的继续增加，iD将不断增加。 - uGS + uGS增大，场强增强，会吸引更多的电子到反型层，沟道变厚，沟道电阻变小， iD越大。 iD 通过沟道形成漏极到源极的电位差，因此加在“平板电容器”上的电压沿沟道变化，靠近源端电压最大为uGS ，故沟道最深；越向漏极