磁性材料与器-第三章-技术磁化.pptVIP

3.3.1 磁化机制 vi.　磁化曲线接近饱和，磁化过程主要是可逆磁畴转动。 vii.　磁化饱和。磁化变化非常小，是顺磁磁化过程。 3.3.1 磁化机制 对一种磁性材料，磁化过程以一种或几种机制为主，不一定包括全部的四种机制。 软磁材料：畴壁位移磁化为主 单畴颗粒材料：仅存在单纯畴转磁化过程 3.3.2 可逆畴壁位移磁化过程 Ms H θ 壁移磁化 在H作用下，有的畴能量较低，有的畴能量较高，根据能量最小原理的要求，能量低的磁畴体积增大，能量高的磁畴体积减小，相当于畴壁移动了一段距离。 3.3.2 可逆畴壁位移磁化过程 3.3.2 可逆畴壁位移磁化过程 实际上，在一定的外场下，畴壁位移的距离是有限的。 原因：材料内部存在着阻碍畴壁运动的阻力，阻力主要来源于铁磁体内部的不均匀性，主要是铁磁体内部存在有内应力的起伏分布和组分的不均匀分布，如杂质、气孔和非磁性相等。 3.3.2 可逆畴壁位移磁化过程 单位体积铁磁体内的总能量为： 畴壁位移磁化过程中，必须满足自由能最小原理： 畴壁位移磁化过程中的一般磁化方程式： 物理意义：畴壁位移磁化过程中磁位能的降低与铁磁体内能的增加相等。 磁化过程中的平衡条件: 动力(磁场作用力)＝阻力(铁磁体内部的不均匀性) 3.3.2 可逆畴壁位移磁化过程 根据阻力的不同来源，分为两种理论模型：内应力模型和含杂模型 一、内应力模型 主要考虑内应力的起伏分布对铁磁体内部能量变化的影响，忽略杂质的影响。一般的金属软磁材料和高磁导率软磁铁氧体适合采用这种模型。 二、含杂模型 忽略内应力的影响，主要考虑由于存在的杂质而引起的铁磁体内能量的变化。如果铁磁晶体内包含许多非磁性或弱磁性的杂质、气孔等，而内应力的变化不大，则可以采用含杂模型。 畴壁位移磁化过程中影响起始磁导率的因素有 (1) 材料的MS，MS越大，?i越高； (2) 材料的K1和?S，K1和?S越小，?i越高； (3) 材料的内应力?，材料内部的晶体结构越完整均匀，产生的内应力越小，?i越高； (4) 材料内的杂质浓度?，?越低，畴壁位移磁化过程决定的?i越高。 3.3.2 可逆畴壁位移磁化过程 3.3.3 不可逆畴壁位移磁化过程 可逆畴壁位移磁化发生以后，撤销外磁场（小磁场），材料能够按照原来的磁化路径回到起始磁化状态。 材料经大磁场磁化后，会发生不可逆畴壁位移磁化，如果此时再撤去外磁场，不能按照原来的磁化路径回到起始磁化状态。 3.3.3 不可逆畴壁位移磁化过程 同可逆畴壁位移磁化过程一样，铁磁体内存在应力和杂质以及晶界等结构起伏变化是产生不可逆畴壁位移的根本原因，畴壁的不可逆位移是产生不可逆磁化的原因。 磁畴壁移动的阻力： 退磁能：由于磁畴迁移使退磁能增大； 晶体内部的缺陷、应力及组织不均匀性。 阻力来源的两种理论模型：内应力模型和含杂模型 3.3.3 不可逆畴壁位移磁化过程 (1)应力理论 晶体缺陷、位错等以及磁致伸缩和磁各向异性会产生内应力。内应力在晶体中分布是不均匀的，应力在某些微观区域内较高，而另一些微观区域较低。 在没有磁化时，畴壁处于应力较低的位置。 内应力引起畴壁能的不均匀分布 180°畴壁壁移阻力的变化 3.3.3 不可逆畴壁位移磁化过程 在外磁场作用下，畴壁发生迁移。当磁畴由一个能谷迁移到另一个能谷，这时畴壁移动是不可逆的。 要使畴壁返回原来位置必须施加一定的外磁场，这就是矫顽力。 3.3.3 不可逆畴壁位移磁化过程 当磁场高于临界场Hc 时．进入不可逆磁化过程，最大磁导率就发生在该阶段。此时畴壁常常发生跳跃式移动，在磁化曲线上表现出大的突变，称为巴克豪森效应。 3.3.3 不可逆畴壁位移磁化过程 (2) 杂质理论 杂质是指弱铁磁相、非铁磁相、夹杂物和气孔。在没有外磁场时，磁畴壁被杂质穿空，减少了畴壁的总面积，降低了畴壁能。 3.3.3 不可逆畴壁位移磁化过程 在外磁场下，磁畴壁发生弯曲，这时去除外磁场磁畴壁可以回到原来位置；进一步增大外磁场，磁畴壁脱离杂质，运动到下一个杂质位置，这个过程是不可逆的。 3.3.4 可逆畴转动磁化过程 在第 I 阶段，外磁场H 较小，磁感应强度B 和磁化强度M 随H 增大缓慢上升，B 与H 基本上是线性关系，磁化是可逆的。称为起始磁化阶段。 在这一阶段，与外磁场方向成锐角的磁畴能量低，磁畴扩大；而与外磁场成钝角的磁畴缩小。磁畴大小的变化通过磁畴壁的迁移实现。 3.3.4 可逆畴转动磁化过程 在第 II 阶段：随H 增大，B 和H 都迅速增大，μ 增加很快，并出现最大值。这个阶段是不可逆的，去掉外磁场还保留部分磁化。 在第二阶段磁畴壁随磁畴的增大而快速移动，称磁畴壁跳跃（巴克豪生跳跃）。与磁场夹角比较大的难磁化磁畴转向夹角较小的易磁化方向。当磁场增大到很大时，所有自旋磁矩通过磁