杨远江开题报告 - 副本.docVIP

西安工业大学北方信息工程学院 毕业设计(论文)开题报告 题目： 系 光电信息工程系 专 业 班 级 姓 名 学 号 导 师 2009年月日 RMS） 反应磁控溅射技术是目前制备SiO2薄膜最广泛的一种方法，它综合了磁控溅射和反应溅射的优点。在与靶表面平行的方向上施加磁场，利用电场与磁场正交的原理，减少电子对基板的轰击，实现高速低温溅射[12]。比其它溅射方法高出一个数量级。 b、反应离子束溅射（IBS） 离子束溅射薄膜制备技术(也有学者称之为二次离子束沉积) 是指由惰性气体电离产生的离子束轰击被溅射靶材，溅射出的靶材料再沉积到基片上形成薄膜的制备技术[13-14]，离子束溅射技术已经广泛应用于各种功能薄膜材料的制备，特别是在DWDM 光通讯系统、各种光学薄膜元件系统以及半导体器件当中[15-16]。 （3）、离子镀（IP）及离子辅助镀（IAD/PIAD） 离子镀[17]指真空热蒸发与溅射两种技术结合而发展起来的一种新工艺，它使蒸发粒子从蒸发源到基板的行进途中离化，然后向具有负偏压的基板加速。IAD是在真空热蒸发的基础上发展起来的一种辅助淀积方法。 1.3.2溅射技术发展的历程1842年格洛夫（Grove）在实验室中发现了阴极溅射现象。真正应用于研究的溅射设备到1877年才初露端倪。1970年后出现了磁控溅射技术，1975年前后商品化的磁控溅射设备供应于世，大大地扩展了溅射技术应用的领域。到了80年代，溅射技术才从实验室应用技术真正地进入工业化大量生产的应用领域。最近15年来，进一步发展了一系列新的溅射技术，几乎到了目不暇接的程度。回顾溅射技术发展的历程，寻找其中某些规律性的思路，是有一定意义的最初溅射技术改革的原动力主要是围绕着提高辉光等离子体的离化率1985年之后，溅射模式的变革增加了新的目标，除了继续追求高速率之外，追求反应溅射稳定运行的目标、追求离子辅助镀膜—获得高质量膜层的目标、等等综合优越性的追求目标日益增强。捷克人J.Musil在研究低压强溅射的工作中，在磁控溅射的基础上，重复使用各种原来在二极溅射增强溅射中使用过的手段。针对立体工件获得均匀涂层和色泽，Leybold推出对靶溅射运行模式。在随后不断改进的努力下，对靶溅射工艺仍然具有涂层质量优异的美名。 针对膜层组分可随意调节的目标，推出非对称溅射的运行模式。我国清华大学范毓殿教授采用调节溅射靶磁场强度的方法，进行了类似的工作。1996年Leybold 推出多年研发的成果：中频交流磁控溅射（孪生靶溅射）技术，消除了阳极“消失”效应和阴极“中毒”问题，大大提高了磁控溅射运行的稳定性，为化合物薄膜的工业化大规模生产奠定了基础。最近英国Plasma Quest Limited（PQL）公司推出S400型专利产品，名为“高密度等离子体发送系统”（High Plasma Launch System），属于离子束增强二极溅射模式。 图1.反应溅射系统装置示意图 3．研究方案 3.1 研究思路 研究在反应磁控溅射和反应离子束溅射两种方法下不同工艺参数与SiO2膜层光学性能的关系是贯穿本次研究工作的一个重要研究思路。认真的配置各实验参数，进行SiO2薄膜的镀制。 具体的研究思路与安排如下： 图2、思路流程图 3.2技术路线及措施掌握磁控溅射离子源离子源工作性能，然后通过实验确定离子源的最佳工艺参数。选择最佳的工艺参数镀制薄膜，最后分析膜层的性能每次溅射前，都预先在纯Ar气体中放电左右，以除去靶表面的物，当观察到靶表面的辉光放电颜色由粉红色变成紫红色时，或电压稳定在一个固定值时，表明物已经被除去[3]；溅射时，氩气和氧气分别以一定的流量通入在一定的真空度。具体工作如下： (1) 根据大量实验，不断改善离子源工作性能，确定离子源的最佳工艺参数； (2) 分析不同工艺参数对膜层的性能影响，然后科学的设计实验，确定薄膜的镀制方案； (3) 对膜层的光学性质作综合测试，通过分析和比较得出磁控溅射法镀制薄膜。 (1) 反应磁控溅射和反应离子束溅射离子源的工作特性； () 膜层性能的测试方法； () 真空系统工作原理。 3.3.2所需的试验条件 (1) 光学镀膜机，以及溅射离子源； () 与离子源配套的电源、水冷、工作气体等设施； (4) 硅、光学玻璃等基片；(5) 镀制薄膜所需的靶材； (6) 薄膜性能测试所需的等检测试验设备。存在的主要问题(1) 镀制薄膜时，氩气和氧气通入时的流量大小[13]。 () 薄膜厚度的监控[10]。