第三章_逻辑门电路基础-2011.ppt

第三章逻辑门电路基础;● 门电路概述 ● 半导体二极管的开关特性 ● 半导体三极管的开关特性 ● 半导体MOS 管的开关特性 ● TTL 门电路 ● CMOS 门电路 ● TTL 电路与CMOS 电路的接口;3.1 概述;正逻辑：高电平表示1，低电平表示0负逻辑：高电平表示0，低电平表示1;;二极管的开关等效电路：; 对二极管开关电路可得下列等效电路，如图3-1-3(a)(b)(c)。⑴内阻rD，导通压降VON⑵忽略rD⑶忽略rD及VON;设VCC = 5V VIH=3V;VIL=0V 二极管导通时VDF=0.6V ;3.2.3 二极管或门;3.3 TTL门电路3.3.1 半导体三极管的开关特性;基区薄 低掺杂;以NPN为例说明工作原理：;二、三极管的输入特性和输出特性;三极管的输出特性;特性曲线分三个部分 放大区：条件VCE 0.7V, iB 0, iC随iB成正比变化， ΔiC=βΔiB。 饱和区：条件VCE 0.7V, iB 0, VCE 很低，ΔiC 随ΔiB增加变缓，趋于“饱和”。 截止区：条件VBE = 0V, iB = 0, iC = 0, c—e间“断开” 。;三、双极型三极管的基本开关电路;i） 当VI VON时，三极管截止 I B = 0； I c = 0； VO = VOH ≈ VCC。 ii）当VI VON时，三极管导通；基极电流iB ;图解分析法：;四、三极管的开关等效电路;五、动态开关特性;六 、三极管反相器;例3.4.1：计算参数设计是否合理;将发射极外接电路化为等效的VB与RB电路;当：;又：;3.4 TTL反相器的电路结构和工作原理 一、电路结构，设 ;二、电压传输特性;需要说明的几个问题：;三、输入噪声容限;3.4.2 TTL反相器的静态输入特性和输出特性;②输出特性;T5导通；T4截止。;例：扇出系数（Fan-out）， 试计算门G1能驱动多少个同样的门电路负载。;一、传输延迟时间 1、现象;二、交流噪声容限;三、电源的动态尖峰电流;1.两种静态下的电源负载电流不等空载条件下：;2、动态尖峰电流;3.5其他类型的TTL门电路;2. 或非门;4. 异或门;二、集电极开路的门电路;2.OC逻辑门的特点及应用;3、OC门的结构特点;OC门实现的线与;4、外接负载电阻RL的计算;三、三态输出门（Three state Output Gate ,TS）;三态门的用途;3.5.4 TTL电路的改进系列 （改进指标： );二、肖特基系列74S/54S（Schottky TTL）;;三、低功耗肖特基系列 74LS/54LS （Low-Power Schottky TTL） 四、74AS,74ALS （Advanced Low-Power Schottky TTL） ·· · 2.5 其他类型的双极型数字集成电路* DTL：输入为二极管门电路，速度低，已经不用 HTL：电源电压高，Vth高，抗干扰性好，已被CMOS替代 ECL：非饱和逻辑，速度快，用于高速系统 I2L：属饱和逻辑，电路简单，用于LSI内部电路 · · ·;1、MOS管的结构 ;N沟道增强型：当加+VDS时，且VGS VGS (th)N D-S间形成导电沟道（N型层）, V GS (th)N 0;2、MOS管的基本开关电路;3、等效电路;4、MOS管的四种类型;3.6.2 CMOS反相器的电路结构和工作原理;1、当Vi=VIL=0， 由于T2（N 型）,VGS2＜VGS（th）N，T2截止; 而T1（P ）,VGS1=-VDD ＜ VGS（th）P，T1导通。 输出VO=VOH≈ VDD ;二、电压、电流传输特性;三、输入噪声容限;结论：可以通过提高VDD来提高噪声容限;3.6.3 CMOS 反相器的静态输入和输出特性;二、输出特性;;3.6.4 CMOS反相器的动态特性;二、交流噪声容限 三、动态功耗;3.7.1 其他类型的CMOS门电路;带缓冲极的CMOS门;带缓冲极的CMOS门;二、漏极开路的门电路（OD门）;三、 CMOS传输门及双向模拟开关;2. 双向模拟开关;四、三态输出门;三态门的用途;3.8.1 TTL与CMOS电路的接口; 驱动门 负载门 ;当TTL驱动CMOS电路时： TTL电路的VOH(min) ≈ 2.4V CMOS电路VIH(min) ≈ 3.5V。 当CMOS驱动TTL电路时： CMOS电路IOL(max) ≈ 0.5mA TTL电路 IIL(max) ≈ -1mA～-1.6m