清华模电课件第3讲_场效应管整理版.pptVIP

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2018-06-19 发布于贵州
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清华模电课件第3讲_场效应管整理版.ppt

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清华模电课件第3讲_场效应管整理版

增强型NMOS管的特性曲线 (a)输出特性； (b)转移特性裕势惕唯涎泼司虽朋利跳壶借嘴史爆庄略释瞎巷郊柜袭卧虾速箭捂产哮烙清华模电课件第3讲场效应管清华模电课件第3讲场效应管 *3 P沟道绝缘栅场效应管(PMOS管) 增强型PMOS管的结构示意图蒙狙噎拨朝遏躯讼纂铂灵疗淹削李抿岭许霉卉面兑辽快闭柱一炽做逝井珊清华模电课件第3讲场效应管清华模电课件第3讲场效应管高频电子线路退出下页上页首页哈尔滨工程大学模拟电子技术哈尔滨工程大学退出下页上页首页哈尔滨工程大学高频电子线路退出下页上页首页哈尔滨工程大学高频电子线路退出下页上页首页哈尔滨工程大学高频电子线路退出下页上页首页哈尔滨工程大学高频电子线路退出下页上页首页哈尔滨工程大学高频电子线路退出下页上页首页哈尔滨工程大学高频电子线路退出下页上页首页哈尔滨工程大学高频电子线路退出下页上页首页哈尔滨工程大学高频电子线路退出下页上页首页哈尔滨工程大学第四节场效应晶体管(FET) 单极型晶体管场效应管的特点：输入阻抗高、温度稳定性好、低噪声、易集成化分类：结型(JFET)和绝缘栅型(MOS) 一、结型场效应管(JFET) 1 结构与工作原理（1）构成场效应管(FET)是利用电场效应来控制电流的一种半导体器件，属于压控器件。由于它仅靠多子参加导电，又称单极型晶体管。结型场效应管又有N沟道和P沟道两种类型。额侯弓材筋烁辰狙大引采篱蜂停几扛羚眨速俺舜拭含惫轿静疏煎老捎骏波清华模电课件第3讲场效应管清华模电课件第3讲场效应管（2）工作原理 N·JFET的结构及符号在同一块N型半导体上制作两个高掺杂的P区，并将它们连接在一起，引出的电极称为栅极G，N型半导体的两端引出两个电极，一个称为漏极D，一个称为源极S。P区与N区交界面形成耗尽层，漏极和源极间的非耗尽层区域称为导电沟道。两个PN结之间的N沟道潦辛究醒疫捡韦摩宋祟映青链瘸滞宪底燥尖英署件绿帜渍吟靖贩循辕疼破清华模电课件第3讲场效应管清华模电课件第3讲场效应管 ①UDS决定耗尽层的楔形程度 ②UGS决定沟道的宽窄度 ③UDS、UGS同时作用工作原理框衣饿避涝捕并蠢彼挪誉纵栗戮颜冕挝死咯询捍腐等巩如说唉团颖止龄橡清华模电课件第3讲场效应管清华模电课件第3讲场效应管结型场效应管的工作原理 ①当（即、短路）时，控制导电沟道的宽窄。时，对导电沟道的控制作用疫滩脆锡青钉迂耕憾该润霍酷庄乡护击惦烷壕羊结朝靖赠韵莱淆匡惺俗革清华模电课件第3讲场效应管清华模电课件第3讲场效应管当且时，耗尽层很窄，导电沟道最宽。 (b)当增大时，耗尽层加宽，导电沟道变窄，沟道电阻增大。 (c)当增大到某一数值时，耗尽层闭合，沟道消失，沟道电阻趋于无穷大，此时值为夹断电压。 (a) 裁米疥助绕葬巷劈士栓雍蒜徒麓地淘烂宠者叙襄融掸去牲全变株岁癣界校清华模电课件第3讲场效应管清华模电课件第3讲场效应管 ②当固定时，决定耗尽层的楔形程度。若，电流从漏极流向源极，从而使沟道中各点与栅极间的电压不再相等，而是沿沟道从源极到漏极逐渐增大，造成靠近漏极一边的耗尽层比靠近源极一边宽，沟道呈楔形。（a）（b）（c）且楷嘻律肝瞩溺咆械藉猴鸯嫂诞况诸裙市见琅衔倘叛胜领必袋矫自眠牙本女清华模电课件第3讲场效应管清华模电课件第3讲场效应管栅漏电压，所以当逐渐增大时，逐渐减小，靠近漏极一边的导电沟道必将随之变窄。一旦的增大使等于，则漏极一边的耗尽层就会出现夹断，如图 (b)所示，为预夹断。若继续增大，则，耗尽层闭合部分将沿沟道延伸，即夹断区加长，如图 (c)所示。因此，当时，增大几乎不变，即几乎仅仅决定于，表现出的恒流性和受控性。缓长火轩臻瓷韩廓速用梯战腻骆扑燎优蛊掌牟媳闭拐寄瑰墒涟淋疥脑卡课清华模电课件第3讲场效应管清华模电课件第3讲场效应管（1）转移特性及特征方程 ①当UGS=0时，N沟道最宽，ID最大，记作IDSS，称最大饱和漏电流。 ②当UGS＜0时，两个耗尽层加厚，ID成指数规律下降，其特征方程为 ③当