4-第1节——晶体三极管.pptVIP

厄利效应 厄利效应（英语：Early effect），又译厄尔利效应，也称基区宽度调制效应，是指当双极性晶体管（BJT）的集电极－射极电压VCE改变，基极－集电极耗尽宽度WB-C（耗尽区大小）也会跟着改变。此变化称为厄利效应，由詹姆斯·M·厄利（James M. Early）所发现。 * * 第一章 常用半导体器件 ——晶体三极管 1.3 晶体三极管 晶体三极管中有两种不同的载流子参与导电，又称为双极型晶体管（BJT），又称为半导体三极管，简称晶体管。 由三块半导体构成，分为NPN型和PNP型两种。三极管含有3极、2结、3区。其中发射区高掺杂，基区较薄且低掺杂，集电区一般掺杂。 1 .3 三极管（Transistor） 1 .3 .1 三极管结构及符号 1.3.1 三极管的结构分类和符号 一、分类 按结构划分 NPN型 PNP型 按材料划分 硅管 锗管 按功率划分 大功率管 小功率管 按频率划分 高频管 低频管 N N＋ P 几百微米 几微米 e b c NPN 型三极管结构图 晶体三极管的结构 发射结 集电结 基极 发射极 集电极 晶体三极管是由两个PN结组成的 发射区 基区 集电区 三极管能具有放大作用的内部结构特点 （1）基区很薄（几?m~几十? m）,形成两个靠得很近的PN结, 且载流子浓度很低。 （2）发射区掺杂浓度很高。 （3）集电结的面积很大。 1 .3 .2 三极管内部载流子传输 为保证三极管具有放大作用（直流能量转换为交流能量），三极管电路中必须要有直流电源，并且直流电源的接法必须保证三极管的发射结正偏、集电结反偏 。 三极管能具有放大作用的外部条件 : （1）发射结正向偏置； （2）集电结反向偏置。 对于NPN型三极管应满足: UBE 0 UBC 0 即 VC VB VE 对于PNP型三极管应满足: UEB 0 UCB 0 即 VC VB VE E C B T C B E T 1.3.2 晶体管的电流放大作用 下面以共发射极NPN管为例分析三极管内部载流子的运动规律，从而得到三极管的放大作用。 动画2-2 基本共射放大电路 三极管内部载流子传输 一.发射区向基区 发射载流子(电子) I EN I BN 1 .3 .2 三极管内部载流子传输 一.发射区向基区 发射载流子(电子) 二.电子在基区的 疏运输运和复合 I B I E I CBO I C I CN I BN 1 .3 .3 三极管内部载流子传输 一.发射区向基区 发射载流子(电子) 二.电子在基区的 疏运输运和复合 三.集电区收集电子 1 .3 .3 三极管各极电流关系 一. 各极电流关系 IE = IEN + IEP ≈ IEN IB = IBN － ICBO IC = ICN + ICBO IE = IC + IB 二. 电流控制作用 β=ICN / IBN≈IC / IB IC=βIB + (1+ β)ICBO =βIB + ICEO ≈β IB α=ICN / IEN≈IC / IE IC= αIE + ICBO ≈ α IE 1 .3 .4 共射NPN三极管伏安特性曲线 一. 输入特性曲线 IB = f ( UBE ，UCE ) 实际测试时如下进行： IB = f ( UBE )|UCE UCE ＞=1V的特性曲线基本重合为一条，手册可给出该条曲线。 1 .3 .4 共射NPN三极管伏安特性曲线 二. 输出特性曲线 IC = f ( IB ，UCE ) 实际测试时如此进行： IC = f ( UCE )|IB 1 .3 .3 共射NPN三极管伏安特性曲线 二. 输出特性曲线 IC = f ( IB ，UCE ) 实际测试时如下进行： IC = f ( UCE )|IB 发射结正偏、集电结反偏时，三极管工作在放大区(处于放大状态)，有放大作用：IC =βIB + ICEO 两结均反偏时，三极管工作在截至区(处于截止状态) ，无放大作用。IE=IC=ICEO≈0 发射结正偏、集电结正偏时，三极管工作在饱和区(处于饱和状态) ，无放大作用。IE=IC（较大） 1.3.4 主要参数 直流参数： 、 、ICBO、 ICEO c-e间击穿电压 最大集电极电流 最大集电极耗散功率，PCM＝iCuCE 安全工作区 交流参数：β、α、fT（使β＝1的信号频率） 极限参数：ICM、P