SST39VF040为SST公司设计的512K Byte 闪存.docVIP

AT89C51对SST 之FLASH的编程操作详述 Flash又名闪存，属于EEPROM,即电可擦除可编程的存储器。由于具有电可擦除的特性，并且其数据可保留上百年，所以它的应用范围非常广泛。非常适用于作为MicroChip以及DSP的外部程序存储器，或者作为需要存储大量数据的外部EEPROM。 SST公司设计之39系列Multi-Purpose Flash，按照其存储的空间主要分以下几种：64K x8/128K x8/256K x8/512K x8 Byte，各自代表的芯片型号有： 39系列Flash之特性: SST39LF512/010/020/040工作电压为3.0-3.6V； SST39VF512/010/020/040工作电压为2.7V~3.6V；数据保留时间100年；工作电流典型值为10mA，待机电流为1uA；快速擦除芯片时间为70ms，字节编程时间为14us。对芯片有如下操作：chip Erase operation ；sector Erase operation ；byte program operation ；byte read operation ；write operation status detection 。通过软件对芯片的操作可以访问到SST 制造商的ID；以及芯片的ID，各芯片ID如下表： TABLE 1: PRODUCT IDENTIFICATION Address Data Manufacturer’s ID 0000H BFH Device ID SST39LF/VF512 SST39LF/VF010 SST39LF/VF020 SST39LF/VF040 0001H 0001H 0001H 0001H D4H D5H D6H D7H 注意：当通过软件访问了Product Identification后，必须采用软件命令退出该模式才能对芯片进行擦除、读写的操作. 下面给出各软件操作指令的时序图： 1. WE控制的字节编程时序： 2.CE控制的字节编程时序图： 3. 编程操作的状态检测时序图： 4.WE控制的扇区擦除时序图： 5. WE控制的芯片擦除时序图： 6. 软件访问ID的时序图： 7. 退出软件访问ID复位命令的时序图： 根据上面的时序图，下面给出各种软件指令操作的流程图： 1．字节编程流程图： 2．读取ID流程图： 3．复位命令流程图： 4．芯片擦除命令流程图： 5．扇区擦除命令流程图： 下面以SST39VF040为列，给出AT89C51对其做编程动作的source code： SST39VF040地址线为A0…A18，数据线为DQ0…DQ7，片选线CE，数据写使能线WE，数据读使能线OE。 #define uchar unsigned char #define uint unsigned int #define ulong unsigned long sfr DataOut=0x80; //定义P0口接SST39VF040的数据线 sfr Address7_0=0x90; //定义P1口接SST39VF040的地址线 A0…A7 sfr Address15_8=0xa0; //定义P2口接SST39VF040的地址线A8…A15 sbit Address16=P3^2; //定义P3.2接SST39VF040的地址线A16 sbit Address17=P3^3; //定义P3.3接SST39VF040的地址线A17 sbit Address18=P3^4; //定义P3.4接SST39VF040的地址线A18 sbit Sst39vf040_Ce=P3^5; //定义P3.5接SST39VF040的片选线线CE sbit Sst39vf040_We=P3^6; //定义P3.6接SST39VF040的写使能线WE sbit Sst39vf040_Oe=P3^7; //定义P3.7接SST39VF040的读使能线OE struct Flash { uchar manufacturer_id; uchar device_id; ulong address; } Sst39vf040; //读FLASH ID的函数，入口参数：FLASH的manfacturer_ID，device_ID，出口参数返回1，0 uchar Read_Id(uchar manfa_id,