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CMOS课程设计 ---------低压CMOS带隙电压基准源设计 学院： 信息科学与工程学院 专业： 电子科学与技术 设计目的 在模数转换器(ADC )模转换器(DAC )数动态存储器 (DRAM ) lash 存储器等集成电路设计中, 低温度系数、低功耗、高电源抑制比 ( PSRR )的基准源 (Reference ) 设计十分关键。 随着深亚微米集成电路技术的不断发展, 集成电路的电源电压 ) 和 1. 5 V (0. 15 ) 的电源电压已开始广泛使用, 而 1. 2 V (0. 13 ) 和 0. 9 V (0. 09) 的电源电压也即将应用于[3]。将VT乘以常数K并和VB E相加可得到输出电压 V REF V REF = VBE + KVT (1) 　　将式(1)对温度T微分并代入VBE和VT的温度系数可求得K ,它使VREF的温度系数在理论上为0。VBE受电源电压变化的影响很小, 因而带隙基准电压的输出电压受电源的影响也很小。 图 1 ( b)是典型的CMOS带隙电压基准源电路。两个PNP管Q1、Q2的基极-发射极电压差?V BE ?V BE = VBE2 - VBE1 = V T ln(J2/J1) ( 2) ( 2) 式中, J1和J2是流过 Q1 和 Q2 的电流密度。运算放大器的作用使电路处于深度负反馈状态, 使得节点1和节点2的电压相等。即 V BE2 = I1R 1 + V BE1 (3)△V BE = V BE2 - V BE1 = I1R 1 (4) 图 1 传统的带隙基准电压源: (a) 带隙基准源原理图;(b) 典型的带隙基准源电路 由图 1 (b) 可得 V REF = V B E2 + I2R 2 (5)通过M 1 和 M 2 的镜像作用 , 使得I1 和I2相等, 结合式 (4) 和式 (5) 可得 V REF = V B E2 +△V BER2/R1 = V BE2 +V TR2/R 1 ln (J2/J1) = V BE2 +V TR 2/R 1 ln (A1/A2) (6)(6) 式中, A 1 ln (A1/A2) (7)在实际设计中, K 值即为 (7) 式表示。 传统带隙基准源结构能输出比较精确的电压,但其电源电压较高 (大于 3 V ) , 且基准输出电压范围有限 (1. 2 V 以上)。 要在 0. 9～ 1. 8 V 的电源电压下得到 1. 2 V 以下的精确基准电压, 就必须对基准源结构上进行改进和提高。 2.CMOS带隙电压基准源 (BGR) 基于TSMC 0. 35μm CMOS 工艺 (N阈VBE 就等于V T ln(N )。流过电阻R 1 的电流 I4 是与热力学温度成正比的。 流过M 2、M 3、M 4 的电流相等( I1 = I2= I3)。 I1 =V T ln (N )/R 1 +V BE/R3 (8) 电路中温度补偿系数 K通过调节 R 4 的值, 可以调整输出电压 V REF 的大小。在电源电压变化时,M 2、M 3 和M 4 的漏源电压值保持不变, 与电源电压无关, 其栅极电压由运放调节。为了降低电路的复杂度, 应用电流反馈原理,运放采用简单的一阶运放, 由于 VDD 的变化多于GND 的变化, 故运放的输入采用 NM O S 的差分对结构 (VDD 和 NM O S 差分对之间有电流源隔离)。因为整个电路在低压下工作, 故整个电路设计的重点是要保证低压下运放的正常工作。 由于带隙基准源存在两个电路平衡点, 即零点和正常工作点。 当基准源工作在零点时, 节点 X1、X2 的电压等于零, 基准源没有电流产生。启动电路的目的就是为了避免基准源工作在不必要的零点上。本文设计了图 2 所示的启动电路, 电路由 M 11、M 12和M 13构成。当电路工作在零点时,M 13管导通,迅速提高节点 X1、 X2 的电压, 产生基准电流, 节点X1 的电压通过M 11 和 M 12组成的反相器, 使M 13 管完全截止, 节点 X1、 X 2 的电压回落在稳定的工作点上, 基准源开始正常工作。 电路的器件参数如表 1 所示,M 2、M 3、M 4 管的尺寸较大, 是为了降低电路中的 1 /f 噪声。 电流镜）键入以下命令icfb↙(回车键)，其中 表示后台工作。Icfb调出Cadence软件。 1.2 New菜单项的子菜单下有Library、Cellview两项。Library项打开New Libra