差动放大器和电流镜.pptVIP

差动放大器;1、单端与差动的工作方式;2、基本差动对;共模特性 采用NMOS提供尾电流ISS，Vin,CM从0开始增加。;2.2 定量分析 大信号分析 如果RD1=RD2=RD，则 Vout1-Vout2=RD(ID2-ID1)， 可以用Vin1和Vin2计算出ID2和ID1 ;讨论（续） ;小信号分析 方法一 （叠加法） 令Vin2=0, 求Vin1对X结点的影响： ; 令Vin2 =0, 求Vin1对Y结点的影响： ; 只施加Vin1时总的电压增益为 ;方法二 （半边电路） 辅助定理：考虑图中所示的对称电路，其中D1和D2代表任何三端有源器件。假设Vin1从V0变化到V0+ ΔVin， Vin2从V0变化到V0 -ΔVin，那么，如果电路仍保持线性，则Vp值保持不变。假定λ＝0。 ;利用P点虚地（交流地）的特点，，电路可等效为两个独立的部分，即“半边电路”概念。 ;如果两个差动对的输入信号不是全差动的，可以将此任意信号表示为差模分量和共模分量。 ;3、共模响应;电流源具有有限电阻的差动对的共模增益： 电路等效为带源级负反馈的共源级电路 ;电路不对称且尾电流源的输出电阻为有限值时，输入共模电压变化对电路的影响： 电路不对称情况1：RD1=RD，RD2=RD+ΔRD，当输入端共模发生变化，VX、VY的变化不相等，输出端产生了一个差动成分。 ;电路不对称情况2：M1和M2不匹配，导致流经两个晶体管的电流稍微不同，因而跨导不同， ;总之，差动对的共模响应取决于尾电流源的输出电阻和电路的不对称性，表现的两方面的影响： 对称电路的输出共模电平变化； 输入共模电压变化在输出端产生差模分量。 “共模抑制比”（CMRR） ;4、MOS为负载的差动对;电流源负载的差动对 ;共源共栅级差动对; 电流镜;1、基本电流镜;按比例复制电流 （忽略沟道长度调制效应） ;沟道长度调制效应使得电流镜像产生极大误差， ;共源共栅电流源 为了抑制沟道长度调制的影响，可以采用共源共栅电流源。共源共栅结构可以使底部晶体管免受VP变化的影响。 共源共栅电流镜 共源共栅电流镜 确定共源共栅电流源的偏置电压Vb，采用共源共栅电流镜结构。 目标是确保VY=VX。 选择(W/L)3/(W/L)0= (W/L)2/(W/L)1, 则VGS0=VGS3, VX=VY。;共源共栅电流镜消耗了电压余度 忽略衬偏效应且假设所有晶体管都是相同的，则P点所允许的最小电压值等于 ;低电压工作（大输出摆幅）的共源共栅电流镜 如图(a)，共源共栅输入输出短接结构， 为使M1和M2处于饱和区，Vb应满足： 考察图(b)，所有晶体管均处于饱和区，选择合适的器件尺寸，使VGS2=VGS4，若选择 M3~M4消耗的电压余度最小(M3与M4过驱动电压之和)。且可以精确复制IREF。;3、电流镜作负载的差动对;输入共模电压的选择 为使M2饱和，输出电压不能小于Vin,CM-VTH，因此，为例提高输出摆幅，应采用尽量低的输入共模电平，输入共模电平的最小值为VGS1,2+VDS5,min。 当Vin1=Vin2时，电路的输出电压Vout=VF=VDD-|VGS3| ;3.2 小信号分析 （忽略衬偏效应） 方法一 利用 计算Gm ;计算Rout M1和M2用一个RXY=2rO1,2代替，RXY从VX抽取的电流以单位增益(近似)，由M3镜像到M4。则， 若2rO1,2(1/gm3)||rO3, 总增益 ; 方法二（利用戴维南定理） Veq=gm1,2rO1,2Vin Req=2rO1,2 流经Req的电流IX部分通过1/gm3，并以单位增益被镜像到M4 若2rO1,2(1/gm3,4)||rO3,4, ;3.3 共模特性 电路不存在器件失配时 ;电路存在器件失配时 忽略rO1和rO2的影响， 考虑到结点F和X的变化相对较小， ;ID4的变化量为