第十节 双极结型( BJT)晶体管基础.pptVIP

第十章 双极结型（ BJT）晶体管 10.1 基本概念 10.2 静电特性 10.3 工作原理 10.4 特性参数 作业 ：10-4, 10-6, 10-9 10.1 基本概念 2.BJT器件的结构示意图 3.BJT的电路符号、电流电压极性 4. BJT在电路中的连接方法 5.BJT的输出特性曲线 6. BJT的偏置模式 10.2 BJT的静电特性 NAENDBNAC WEB几乎都位于基区内，WCB的大部分位于集电区内，WCBWEB 准中性基区宽度 W=WB-XnEB-XnCB 10.3 BJT的工作原理 共发射极接法： 输入电流IB，输出电流IC， 直流电流增益是IC/IB。 在pnpBJT中，IB是电子流，IC是空穴流，增加IB会成比例增加IC，双结耦合在物理上把流过EB结的小的电子流和大的空穴电流分成两个独立的电流环路 10.4 BJT的特性参数 1. 发射效率： 2.基区输运系数： 4. 电流放大系数?dc 与发射效率?和基区输运系数 ?T的关系 ICBO的物理意义：当IE=0时的集电极电流，即发射极开路时，集电结的反向漏电流，相当于pn结二极管的反向饱和电流 ICBO=ICn, 难道基区本身没有少数载流子空穴进入耗尽区并被扫进集电区吗？（作业10.11) 有，只是空穴的电流成分比电子的电流小的多，可忽略不计。 6. 共发射极直流增益 7. ICBO与ICEO的关系 例题1： pnpBJT处于饱和偏置，IC0,画出载流子 的运动和扩散电流 例题2： npnBJT偏置到截止状态，画出载流 子的运动和扩散电流 * * 1. 双极晶体管由两个相距很近的pn结组成的 分为：npn和pnp两种形式 基区宽度远远小于少子扩散长度, NENBNC 发射区 收集区 发射结 收集结 发射极 收集极 基极 基区 注意：在实际器件中，发射区的掺杂浓度比集电区高，几何尺寸也不同，因此交换E，B两极会使器件特性发生显著变化。 说明：共发射极是普遍采用的；共基极偶尔使用；共集电极几乎不使用。 说明：输出特性由输入电流控制 偏置模式 E-B极性 C-B极性 放大 正 反偏 饱和 正偏 正偏 截止 反偏 反偏 倒置 反偏 正偏 平衡条件下各电学量的示意图 1。放大工作状态 发射结正偏，集电结反偏 空穴从发射区向基区注入，电子从基区向发射区注入，p+n结使发射区注入到基区的空穴比基区注入到发射区的电子要多的多。注入到基区空穴，基区宽度十分小，集电结强反偏，从发射区注入基区的空穴除少数被复合外，其余大多数能到达集电结的耗尽区边缘，然后被扫入集电区，因此，集电极电流基本上等于发射极电流中的空穴流。在集电极回路中接入较大的负载电阻，就可将信号放大。 图10.8处于放大偏置下的pnpBJT中载流子的运动 IE=IEp+IEn 正向注入的空穴电流和电子电流 IC=ICp+ICn 反向饱和漏电流ICBO和从发射结注入基区又到达 集电结的空穴所形成的电流Icp IB=IE-IC=IB1+IB2+IB3 ( IB1=IEn, IB3=ICn, IB2是流入基区与发射区注入的空穴复合而损失的电子流。 放大模式偏置下pnpBJT 放大原理的示意图 BJT是如何将信号放大的呢？ 3。 晶体管的电流增益（放大系数〕 共基极直流放大系数和交流放大系数?dc 、 ?ac 两者的关系 共发射极直流放大系数交流放大系数?dc、 ?ac 这个关系式把BJT的外部增益和内部特性参数联系起来，是设计BJT的基础 知道?dc,就可得到?dc ?dc=0.9 , ?dc=9 ?dc=0.95, ?dc=20 ?dc=0.995, ?dc=200 ICBO是流过集电极的反向饱和电流，主要是集电结附近热产生的电子被扫入基区形成的电流 ICEO是基极开路时，集电极-发射极的电流，此时集电结强反偏，发射结弱正偏，发射结有微弱的空穴注入，所以ICEOICBO 共基极 共发射极 与共发射极的公式对比 发射极开路时流过CB结的饱和电流 基极开路时流过CB结的饱和电流 10.10 10.6 10.7 *