模拟电子技术第一篇.pptVIP

模拟电子技术基础 ——电子电气类专业课 电气设备指电气系统中对发电机、变压器、电力线路、断路器等设备的统称。 应用电子技术是培养具备智能电子产品设计、质量检测、生产管理等方面的基本理论知识和基本技能，能在电子领域和部门生产第一线从事智能电子产品的设计与开发、质量检测、生产管理、智能电子产品的销售和技术支持技能应用型人才。 模拟电子技术是一门研究对仿真信号进行处理的模拟电路的学科。它以半导体二极管、半导体三极管和场效应管为关键电子器件，包括功率放大电路、运算放大电路、反馈放大电路、信号运算与处理电路、信号产生电路、电源稳压电路等研究方向。 第1章 半导体二极管及其基本应用电路 PN结的基本知识 半导体二极管 半导体二极管的电路模型 半导体二极管的基本应用 特殊二极管 半导体 每个原子最外层的价电子，不仅受到自身原子核的束缚，同时还受到相邻原子核的吸引。因此，价电子不仅围绕自身的原子核运动，同时也出现在围绕相邻原子核的轨道上。于是，两个相邻的原子共有一对共价电子，这一对价电子组成所谓的　　　。硅、锗原子的共价键结构如图所示。 纯净的、不含其他杂质的半导体称为本征半导体。 由于随机热振动致使共价键被打破而产生　　　　　　。 空穴、电子导电机理 由于共价键出现了空穴，在外加电场或其它的作用下，邻近价电子就可填补到这个空位上，而在这个电子原来的位置上又留下新的空位，以后其他电子又可转移　　　　　　　　　　　　到这个新的空位。这样就使　　　　　　　　　共价键中出现一定的电荷迁 移。空穴的移动方向和电子　　　　　　　　　移动方向是相反的。 杂质半导体 本征半导体中虽有两种载流子，但因本征载子浓度很低，导电能力很差。如在本征半导体中掺入某种特定杂质，成为杂质半导体后，其导电性能将发生质的变化。 于是P区中的空穴会向N区扩散，并在N区被电子复合。而N区中的电子也会向P区扩散，并在P区被空穴复合。这样在P区和N区分别留下了不能移动的受主负离子和施主正离子。 击穿特性 二极管管脚极性及其质量的判断 极性的判断 3. 折线模型（实际模型） §1.4 半导体二极管的基本应用 整流 §1.5 特殊二极管 总之：PN结正向电阻小，反向电阻大——单向导电性。 1.1.3 ＰＮ结的单向导电性 1）ＰＮ结正向偏置——导通 由图1.2.2可见，外电场将推动P区多子（空穴）向右扩散，与原空间电荷区的负离子中和，推动N区的多子（电子）向左扩散与原空间电荷区的正离子中和，使空间电荷区变薄，打破了原来的动态平衡。同时电源不断地向P区补充正电荷，向N区补充负电荷，其结果使电路中形成较大的正向电流，由P区流向N区。这时ＰＮ结对外呈现较小的阻值，处于正向导通状态。 给ＰＮ结加上电压，使电压的正极接P区，负极接N区（称ＰＮ结正向偏置）。 外电场的方向与内电场方向相反 →耗尽层变窄 →扩散运动＞漂移运动 →多子扩散形成正向电流I F 外电场削弱内电场 正向电流 正向电流 2）ＰＮ结反向偏置——截止　　 由图1.2.3可见，外电场方向与内电场方向一致，它将N区的多子（电子）从ＰＮ结附近拉走，将P区的多子（空穴）从ＰＮ结附近拉走，使ＰＮ结变厚，呈现出很大的阻值，且打破了原来的动态平衡，使漂移运动增强。由于漂移运动是少子运动，因而漂移电流很小；若忽略漂移电流，则可以认为ＰＮ结截止。 给ＰＮ结加上电压，使电压的正极接Ｎ区，负极接Ｐ区（称ＰＮ结反向偏置）。 外电场的方向与内电场方向相同 →耗尽层变宽 →漂移运动＞扩散运动 →少子漂移形成反向电流I R 外电场加强内电场 反向电流 反向电流 综上所述，ＰＮ结正向偏置时，正向电流很大，ＰＮ结处于导通状态；ＰＮ结反向偏置时，反向电流很小，几乎为零，ＰＮ结处于截止状态。这就是ＰＮ结的单向导电性。 （ＰＮ结导电性实验） § 1.２　二极管的类型及伏安特性 在ＰＮ结的外面装上管壳,再引出两个电极，就做成了一个二极管。其中阳极从Ｐ区引出，阴极从Ｎ区引出。下图为二极管的图形符号。 半导体二极管实物图片： 特点： ＰＮ结面积小，所以极间电容小，管子允许通过的电流小；可在高频下工作；适用于作高频检波管和数字电路里的开关元件。 二极管的类型很多，从制造材料上分，主要是硅管和锗管；从管子的结构上分，主要有 、 、 二极管。 点接触型 面接触型 硅平面型 1.二极管的类型及结构 特点： ＰＮ结面积大，极间电容大，允许通过的电流大；适合在较低频率下工作,可用于整流电路. 二极管的类型很多，从制造材料上分，主要是硅管和锗管；从管子的结构上分，主要有 、 、 二极管。 点接触型 面接触型 硅平面型 1.二极管的类型及结构 特点： ＰＮ结不受水气和污物的污染，表面漏电流小，性能稳定。