第三章 材料电学.ppt

电流：通过截面S的电荷随时间的变化率。 电流密度： 方向：该点正电荷的运动方向 大小：等于在单位时间内通过该点附近垂直 于正电荷运动方向的单位面积的电荷 电流密度J： 几点说明 1. 波函数满足正交归一化条件 对于p型半导体，当沿x方向施加电场Ex时，空穴在电场力作用下沿x方向以速度vx运动，同时在垂直电场Bz产生洛伦兹力的作用而向-y方向偏转，产生横向电荷积累，由其产生“霍尔电场Ey”，稳定时有以下关系式： 能带示意图 迁移率与杂质浓度和温度的关系 平均漂移速度 设沿x方向施加电场强度为E，考虑的电子具有各向同性的有效质量 ，如在t=0时，某个电子恰好遇到散射，散射后沿x方向的速度 ，经过时间t后又遇到散射，在此时间内电子做加速运动，再次散射前速度为 形成过程： 一种离子脱离平衡位置挤入晶体的间隙中去，形成所谓间隙（或称填隙）离子，而原来位置上形成阳离子或阴离子空位。 特点 间隙离子和空位是成对出现的。 弗仑克尔缺陷除与温度有关外，与晶体本身结构也有很大关系。若晶体中间隙位置较大，则易形成弗仑克尔缺陷，如AgBr比NaCl更易形成这种缺陷。 肖特基缺陷 产生过程： 由于热运动，晶体中阳离子及阴离子脱离平衡位置，跑到晶体表面或晶界位置上，构成一层新的界面，而产生阳离子或阴离子空位，然后内部邻近的离子再进入这个空位，这样逐步进行造成的缺陷。 特点： 阳离子空位与阴离子空位是符合晶体化学计量比的。 如：MgO晶体中，形成Mg2+和O2-空位数相等。 若介质中极化强度为P，它与E平行且处处相等，则球表面上的束缚电荷密度为 瞬时位移极化 电子、离子位移极化，到达稳态时间10-16~10-12 s 松弛极化 偶极子转向、热离子极化，10-10 s以上 介电体的极化强度P 介质的复数电容率 不同材料的介电损耗来源 普通无机晶体介质（如NaCl、SiO2、和云母等） 只有位移极化，损耗来源主要为离子电导，tanδ与电导率σ成正比 无定形玻璃 电导损耗、松弛损耗、结构损耗（由Si-O网络的变形引起） 多晶陶瓷 离子电导损耗、松弛损耗、夹层损耗 铁电陶瓷 自发极化 球表面束缚电荷在球心（即被研究分子所在点）上所产生的电场强度 式中，θ为P与球表面法线所成的夹角。 作用在被研究分子上的电场强度为 可分解成与外施电场E相平行和相垂直的两个分量， 其中与E垂直的分量上下相抵消，其向量和为零。 电子极化率 偶极子转向极化率 动画 动画 介电体的极化（恒定电场） 为位移极化强度； 为松弛极化强度 介质极化过程的电流随时间的变化曲线 动画 吸收电流——介质在交变电压作用下引起介质损耗的重要来源。 剩余电流——使介质产生电导损耗。 动画 动画 相当于通常的电容率； 为损耗因子 为电感应强度滞后于平均 电场强度E的相位差 为电感应强度； 动画 弗仑克尔（Frenkel）缺陷 动画 动画 动画 动画 高斯定理(Gauss theorem) 高斯(Gauss,1777-1855),德国数学家、天文学家和物理学家，有“数学王子”美称 静电场中通过任何一闭合曲面的电通量等于该闭合曲面包围的自由电荷的代数和。数学表达式为 动画 E为宏观平均电场强度； E1为球外分子作用产生的电场强度； E2为球内分子作用产生的电场强度. 为施主电离能级 ？ 声学波：相同 光学波：相反 相邻两个原子位移方向是否相同 横波：垂直 纵波：平行 原子振动方向与格波传播方向 的关系 平均自由时间 平均漂移速度 散射概率 平均自由时间 设有N0个电子在t=0时间向某一方向运动，在运动过程中有 的很快遇到散射，有的尚未遇到散射. 用N(t)表示在t时刻尚未遇 到散射的电子数；再过很短时间△t ，又有一部分电子遇到散射 ，由于△t很小，可认为散射是匀速的. 根据散射概率P的定义，在t ~ t + △t时间内遇到散射的电子数为 在t ~ t + △t时间内尚未遇到散射的电子数为N( t+△t),则 当△t很小时，可以写为 解为 式中，N0是在t =0时刻未遇到散射的电子数. 在t ~ t + △t时间内遇到散射的所有电子的自由时间均为 t,则这些电子的总自由时间为 平均漂移速度 等于0 动画 ----沿外场方向的电流密度有所降低，这种由于磁场的存在 导致半导体电阻增大的现象。 率 增大 动画 动