2009年-电子陶瓷第四章第三讲.pptVIP

第四章 电子陶瓷基本性质 § 4.3 ???? 电子陶瓷的电学性质 物质基本电学性质：传导电流和被电场感应 物质传导电流的现象用下式描述： (4.19) ? 式中 J为电流密度矢量；E为电场强度矢量； ?为电导率为张量。 第四章 电子陶瓷基本性质 被电场感应的性质，通常可用下式描述： (4.20) ? 式中 D为电位移，一般为矢量； ε为介电常数，一般为张量。 电导率(electrical conductivity)和介电常数(dielectric constant)是描写电子陶瓷的电学性质的两个最基本的电学参数。 第四章 电子陶瓷基本性质 4.3.1 电子陶瓷的导电性能 大部分陶瓷的禁带宽度宽，为绝缘材料，例如氧化铝、氧化硅、氮化硅等。 如果对绝缘陶瓷进行掺杂，或者制备非化学计量比化合物，可以得到半导体陶瓷，如NiO（Li）、SnO2-x等。 有的陶瓷材料的离子性较强，晶格中可以有自由移动的离子参与导电，如AgI等。 第四章 电子陶瓷基本性质 目前高温超导氧化物的导电能力已超过金属. 已经得到广泛应用的先进陶瓷材料的电导率几乎覆盖了从良导体到绝缘体的范围。 第四章 电子陶瓷基本性质 陶瓷导电机制比较复杂，参与导电的粒子可以是电子、正离子或负离子。 陶瓷导电能力与陶瓷材料中载流子浓度及其迁移率有关。 陶瓷材料的导电性能与材料组成、掺杂、微结构、晶体缺陷、制备工艺及后处理过程等密切相关。 第四章 电子陶瓷基本性质 1 电子陶瓷的导电特点 设平板试样的厚度为d，试样上的电极面积为S ，由式（4.19）得 (4－21) 式中 G为试样电导。 第四章 电子陶瓷基本性质 电导率是面积为1cm2，厚为1cm的试样所具有的电导。 它是表征材料导电能力大小的特征参数。电导率又称比电导或导电系数，其单位常用（Ω·cm）-1表示。 电导率?的倒数为电阻率? ，其单位常用（Ω·cm）表示。 第四章 电子陶瓷基本性质 表4-2 各种材料的电导性能比较 第四章 电子陶瓷基本性质 从电导率的大小分类，材料可以分成导体、半导体和绝缘体。 金属是导体的代表性材料，化学纯的陶瓷多为绝缘体。 实际陶瓷材料由于化学计量比偏离和掺杂等原因，晶体中存在一定数量的带电粒子。 第四章 电子陶瓷基本性质 在定向电场的作用下，带电粒子（载流子）的漂移（drift）和扩散使材料具有导电能力。 载流子在晶体中作定向漂移时会遭受各种散射，影响载流子迁移。 在不同温度下，各种散射机制起的作用不同。材料中载流子浓度和其迁移率是影响陶瓷导电能力的重要因素。 第四章 电子陶瓷基本性质 在瓷体中或多或少存在能传递电荷的质点，这些质点称为载流子(carrier)。 陶瓷中的载流子可以是离子、电子或两者共同存在。 离子作为载流子的电导称为离子电导； 电子作为载流子的电导称为电子电导。 电介质瓷主要是离子电导； 半导体瓷和导电陶瓷主要是电子电导。 第四章 电子陶瓷基本性质 离子电导和电子电导有本质的区别。 离子的运动伴随着明显的质量变化，离子在电极附近有电子得失，因而产生新的物质，这就是电化学效应。 新物质产生的量与所通过的电量成正比，即遵从法拉弟定律。 电子电导没有这一效应。 第四章 电子陶瓷基本性质 电子电导的特征是具有霍耳效应。 如图2.5.1所示。 当电流I通过试样时，如果在垂直于电流的方向加一磁场H，则在垂直于 I-H的平面的方向产生一电场EH，称为霍耳电场，该现象称为霍耳效应。 第四章 电子陶瓷基本性质 第四章 电子陶瓷基本性质 霍耳效应的产生是由于电子在磁场作用下，产生横向位移的结果。电子电导的特征 由于离子质量比电子大得多，因此磁场的作用力相对较小，离子在磁场作用下，不呈现横向位移。 离子电导不呈现霍耳效应。 第五章 金属电子论 整数量子霍尔效应（IQHF） 1980年，德国物理学家 K.Von Klitzing在18T；1.5K条件下发现p-Si MOSFET样品的霍尔电压VH出现一系列平台 霍尔电阻率VH/Ix为整数量子化的 第五章 金属电子论 整数量子霍尔效应（IQHF） 第四章 电子陶瓷的性质 K.Von Klitzing给出解释： 霍尔电阻率： 第四章 电子陶瓷的性质