第4章 场效应管与其基本放大电路.ppt

4.2.1场效应管的直流偏置电路与静态分析 4.2 场效应管放大电路 1．自给偏置电路 （1）计算法。 ① 列出输入回路电压方程 4.2.1场效应管的直流偏置电路与静态分析 4.2 场效应管放大电路 1．自给偏置电路 ②假设管子工作在恒流区，由耗尽型场效应管的电流方程可得 ③列出输出回路电压方程 ④验证假设是否成立。 （2）图解法 4.2.1场效应管的直流偏置电路与静态分析 4.2 场效应管放大电路 1．自给偏置电路 2．分压式偏置电路 4.2.1场效应管的直流偏置电路与静态分析 4.2 场效应管放大电路 * */44 * * */44 * 4.1 场效应管 4.3 场效应管放大电路的频率响应 4.2 场效应管放大电路 4.1.1场效应管分类 4.1 场效应管 结型场效应管 （JFET） 场效应管 金属—氧化物—半导体场效应管 （MOSFET） N沟道增强型MOS管 P沟道增强型MOS管 P沟道耗尽型MOS管 N沟道耗尽型MOS管 耗尽型 增强型 N沟道结型场效应管 P沟道结型场效应管 4.1.2.1 N沟道增强型MOS管 4.1.2 绝缘栅型场效应管 4.1 场效应管 1. 结构 P型衬底 P型衬底 B B S G S G D D SiO2 SiO2 2. 工作原理 4.1.2.1 N沟道增强型MOS管 4.1.2 绝缘栅型场效应管 P型衬底 P型衬底 耗尽层 N型导电沟道 S G D D S G UDS UDS UGS iD B B （1）栅源电压uGS对漏极电流iD的影响 当uDS=0且uGS＞0V时→g、b间存在纵向电场→将靠近栅极下方的空穴向下排斥，留下带负电的电子。 当uGS=0V时，漏源之间相当两个背靠背的 二极管，在d、s之间加上电压也不会形成电流，即管子截止 再增加uGS(uGS＞UGS(th)) →纵向电场↑→将P区少子电子聚集到P区表面→形成导电沟道（反型层），如果加漏源电压，形成漏极电流iD。 2. 工作原理 4.1.2.1 N沟道增强型MOS管 4.1.2 绝缘栅型场效应管 （2）漏源电压uDS对漏极电流iD的影响 P型衬底 P型衬底 P型衬底 B B B S S S G G G D D D UGS UGS UGS UDS UDS UDS iD iD iD （a）uDS=0时， iD=0。 （b）uDS ↑→iD↑；同时沟道靠漏区变窄。 （c）当uDS增加到使uGD＝uGS－uDS＝UGS(th)时，沟道靠漏区夹断，称为预夹断。 （d）uDS再增加，预夹断区加长， uDS增加的部分基本降落在随之加长的夹断沟道上， iD基本不变。 3. 特性曲线 4.1.2.1 N沟道增强型MOS管 4.1.2 绝缘栅型场效应管 （1）输出特性曲线 四个区： （a）可变电阻区(预夹断前) uGSUGS(th), uDS(uGS-UGS(th))。 （b）恒流区也称饱和区（预夹断 后） uGSUGS(th), uDS(uGS-UGS(th)) 。 （c）夹断区（截止区）uGSUGS(th)。 （d）击穿区。 3. 特性曲线 4.1.2.1 N沟道增强型MOS管 4.1.2 绝缘栅型场效应管 （2）转移特性曲线 它是 时漏极电流 4. 沟道长度调制效应 4.1.2.1 N沟道增强型MOS管 4.1.2 绝缘栅型场效应管 1. 结构和工作原理 4.1.2.2 N沟道耗尽型MOS管 4.1.2 绝缘栅型场效应管 P型衬底 S G D B 掺有正离子的绝缘层 2. 特性曲线 4.1.2.2 N沟道耗尽型MOS管 4.1.2 绝缘栅型场效应管 它是 时的漏极电流，称为漏极饱和电流。 4.1.2.3 P沟道MOS管 4.1.2 绝缘栅型场效应管 N型衬底 B S G D SiO2 N型衬底 B S G D 4.1.2.3 P沟道MOS管 4.1.2 绝缘栅型场效应管 增强型转移特性曲线 增强型输出特性曲线 4.1.2 绝缘栅型场效应管 4.1.2.3 P沟道MOS管 耗尽型转移特性曲线 耗尽型输出特性曲线 4.1.3 结型场效应管 4.1 场效应管 1. 结构 N 型 沟 道 G D S P+ P+ 4.1.3 结型场效应管 4.1 场效应管 2. 工作原理 （1）栅源电压uGS对漏极电流iD的影响 N 型 沟 道 G D S P+ P+