晶体管放大器的设计和制作.doc

百度大学文档学院 晶体管放大器的设计与制作 姓名：CT知道 学号： 专业： 指导老师： 2010年6月16日 设计要求 设计并制作一个分立元件组成的放大器。主要技术指标为：电压放大倍数Au=100；输入阻抗Ri≥47KΩ；带宽BW=50Hz~100KHz；已知：输入信号电压=20mVf =1KHZ；负载电阻RL=5.1KΩ；工作温度范围0～45℃。 设计所需器件 （1）12V直流电源；（2）函数信号发生器；（3）双踪示波器；（4）交流毫伏表；（5）直流电压表；（6）直流毫安表；（7）频率计；（8）万用电表；（9）器件：晶体三极管3DG6×1(β＝50～100)或9011×1、电阻器、电容器若干；其他工具：电烙铁等电路装配工具；电脑；投影仪等。 总体设计 （1）课题分析 根据设计要求，要实现电压放大倍数Au=100；输入阻抗Ri≥47KΩ；采用单级双极型三极管放大电路是无法实现的，就本题而言，系统可分为二级：输入级和主放大级。总体结构如图1-1所示。 图1-1 晶体管电压放大器方框图 （2）方案讨论 ①输入级：主要完成阻抗变换，实现输入阻抗Ri≥47KΩ的设计要求； ②主放大级：主要完成电压放大作用，实现电压放大倍数Au=100的设计要求。 主放大级电路设计 （1）电路类型选择：为了实现电压放大倍数Au=100的设计要求，主放大级宜采用固定分压偏式共射大电路形式，工作稳定性最好。 （2）电路结构：如右图2-1所示。 （3）元件选取与参数计算： ①选择半导体三极管从给出的技术要求可知，该电路工作在低频小信号场合，工作温度范围又较宽，故可选择热稳定性较好的低频小功率三级管3DG6B，从手册上查出它的主要参数是PCM=100mWICM=20mA，CEO≥20V，对该管进行实测β=60。)确定电源电压C 为保证放大输出信号幅度的动态范围内不会产生非线性失真，一般取C≥2+UE+2UCES 由于输入信号电压幅值为则输出信号电压幅值为若取三极管馆和压降的临界值CES≈1V，则静态集一射压降设置在 CEQ≥+UCES=3.82V 又由于这种典型放大单元静点的工程(估算)条件是I1≈I2IB和BUBE 一般取I1=I2=(5-10)IB和B=(5～10)VBE硅管B=3～5V锗管B=1～3V 若近似取B=4V，UE=UB-0.7=3.3V 再按C≥2+UE+UCES=2×2.82+3.3+1=10V。 考虑留有余量取C=12V(标准等级电压)。 计算和确定集电极电阻由放大电路的静、动态分析可知，RC是决定静态工作点和满足电压增益要求的一个关键元件。一般应从输入至输出逐步推算先确定输入回路的动态范围基极信号电流的幅值为，取若=1KΩ则为了使输入动态信号不出现非线性失真，即信号动态工作不进入输入特性下面的弯曲部分，通常取最小基极电流 则静态基流 取IB=40μA 再在输出回路进行静态计算管子的电流放大作用有 又由于若取则 取标称值.2KΩ ④计算确定射极电阻R 取标称值1.5KΩ 计算确定由I1≈I2=(5-10)IB取I1=I2=5IB=5×40=0.2mA 再按 即为标称值 取标称值39KΩ或43KΩ以上所确定的各电阻元件的阻值后，还要检验它们的额定功率，即 取W RJ1.8KΩ电阻 取W RJ1.5KΩ电阻 取W RJ43KΩ电阻 取W RJ20KΩ电阻 确定耦合电容和射极旁路电容C1、C2和C工程计算式分别为： ， 式中下限频率fL≥20HZ信号源内阻RS=几欧～几十欧，输入电阻Ri≈rbe输出电阻RO≈RC为与CE构成回路的等效电阻，且，。 如放大电路是用于放大低频信号(f=20HZ～200KHZ)，则耦合电容和射极旁路电容的容量可不必按上式计算，可直接取经验值：， ⑦校验由于 ∴ 符合指标要求选择半导体三极管。)确定，取，实际电路中可以用一个200K的固定电阻与一个470K的可调电阻串联使用。 ③计算Re 对于射极输出器，其输入电阻Ri≈(1＋β)(RE∥RL)≥47K，即：(RE∥RL) ≥0.77K 其中RL是主放大电路的输入电阻Ri，见任务二，Ri≈0.86K，求得Re≥7.36， 取标称值Re=7.5K ④C1、C2的选取同任务二。 ⑤验算输入电阻Ri Ri≈(1＋β)(RE∥RL)=61×7.5K//0.86K=47.1K＞47K，满足设计要求。 PCB板的设计 参看电子工艺实训教程/ (21世纪全国高校电子电工类规划教材) /作者:殷志坚 殷志坚殷志坚殷志坚殷志坚 ①测量放大器的静态工作点，应在输入信号ui＝0的情况下进行， 即将放大器输入端与地端短接，然后选用量程合适的直流毫安表和直流电压表，分别测量晶体管的集电极电流IC以及各电极对地的电位UB、UC和UE。一般实训中，为了避免断开集电极