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第5 章 电容的物理基础 电容在信号完整性中的作用 球面电容 平行板电容 电源与地平面间电容 单位长度电容 有效介电常数 电容在信号完整性中的作用 任意两个导体间的电容量本质上是对两个导体在一定电压下存储电荷能力的度量。 平行板电容器（基础） 位移电流假说 电容在信号完整性中的作用 根据平行板电容器可得： 任何两个导体之间总是有电容存在。高频时，电流可以流经电容，引起串扰与其他信号完整性问题。 球面电容 两球面间电容的计算公式 球面电容 外球面半径大于内球面半径的10 倍时,球面电容可近似表示为 平行板电容 平行板电容器公式 导体间距越大，电容量就越小；导体重叠面积越大，电容就越大。 平行板电容 平行板电容器公式是一个近似，它假定平行板周围的边缘场是忽略不计的。平行板间距越小或板面积越大，近似就越好。对于边长为w 的正方形平行板，w/h 越大，近似就越准确。 平行板间充以绝缘材料可增加电容量,电容量增加的幅度由介电常数决定 电源与地平面间电容 去/退耦电容 为减小电源分布系统中的电压轨道塌陷而在电源和地之间安装的电容 去耦电容的作用可用下式描述（去耦时间）： 电源与地平面间电容 例，设芯片的功耗是1 W，去耦电容是1 nF，电源电压是3.3 V，则电容提供的去耦时间： dt = 1 nF × 0.05 × 3.32/1 = 0.5 ns 通常需要至少5 ms的时间，直到电源调节器能提供足够的电流。 对于这个例子，实际需要的去耦电容是1 nF 的10 000 倍，即10 mF 才能满足要求。 电源与地平面间电容 电源和地平面间电容估计公式 电源与地平面间电容 例如FR4，其介电常数为4，1 平方英寸的电容： C = 0.225 pF/in × 4 × 1 in2/h ≈ 1000 pF/h， h 的单位为密耳。若电源与地平面间的电介质厚度为10 mil，则它们之间的电容仅为100 pF/in2。 若ASIC占用的面积为4in2，则电源与地平面间的去耦电容仅为0.4 nF，这比所需的10 mF 电容量，至少要差4 个数量级。这样大的电容能够提供多久的去耦？ 0.4 nF的电容提供0.2 ns的去耦时间，这个时间的意义不是很大，并且芯片必须通过封装引线才能接触到这个电容，而封装引线的阻抗使得这个0.4 nF的电容几乎不起一点作用。 电源与地平面间的电容太小，起不到去耦作用，如何才能增大电源与地平面间电容？ 减小电介质厚度和增大介电常数能增大电源和地间的电容 单位长度电容 在横截面均匀的互连线中，信号路径与返回路径间的电容可表示为 单位长度电容是互连线的重要电气特性参数 单位长度电容 同轴电缆是由两根同心圆柱导体组成、中间填充介质材料的互连线，通常把中心的内导体称为信号路径，而把外导体称为返回路径。内导体和外导体间的单位长度电容的精确表示式为： 单位长度电容 两个平行圆杆之间的电容 单位长度电容 平行直圆杆电容近似（sr） 单位长度电容 平面与平面上圆杆之间的电容 单位长度电容 微带线的单位长度电容为 单位长度电容 带状线的单位长度电容近似为 有效介电常数 同介质，同介电常数？ 有效介电常数 嵌入微带线 顶部介质厚度等于线宽时,可覆盖住全部电力线,使有效介电常数与介电常数与一致 小结 1. 电容是对两导体间存储电荷能力的度量。 2. 导体间的电压变化时，有电流流经电容器。电容量是对流动电流大小的度量。 3. 除了个别例外，与两导体间电容有关的所有公式都是近似。若要求精度优于10%~20%，就不应再使用近似。 4. 只有同轴型、双圆杆型和圆杆- 平面型这3 个结构的表达式是精确的。 小结 5. 一般来说，导体间距越大，电容量越小；导体间重叠的面积越大，电容量也越大。 6. 介电常数是材料的一个固有特性，它反映了材料使电容量增加的程度 7. 电路板上的电源平面和地平面间是有电容的，但是这个电容量非常小，可以忽略不计。两平面的作用是提供低电感回路，而不是提供去耦电容。 8. 若要求精度优于10%，就不应使用微带线和带状线的IPC 近似计算式。 小结 9. 一旦二维场求解器经过验证，就可以用来计算均匀传输线结构的单位长度电容，其精度优于1%。 10. 若微带线的厚度增加，单位长度电容也将增加，但增加幅度非常小。导体从非常薄变化到2 盎司铜厚时，电容量仅增加了3%。 11. 若微带线顶层介质涂层的厚度增加，电容量也将增加。当涂层厚度与线宽相同时，涂层可以完全包裹住边缘场，这时电容量可增大20%。 12. 有效介电常数是个复合介电常数，它是材料不均匀分布和部分电力线通过不同材料时（如微带线中）的介电常数。用二维场求解器可以很容易地计算出有效介电常数。 要求 电容 电容量是两导体间在一定电压