第五节 脉冲激光沉积.doc

第五章 脉冲激光沉积 脉冲激光沉积（pulsed laser deposition，简称PLD）法制备薄膜，将脉冲激光器产生的高功率脉冲激光聚焦于靶材表面，使其表面产生高温及烧蚀，并进一步产生高温高压等离子体（ T104K），等离子体定向局域膨胀在衬底上沉积成膜。PLD技术起步于上个世纪60年代，但直到80年代末才得到迅速发展。人们随即发现这种技术在超导体、半导体、铁电体、金刚石或类金刚石以及一些有机薄膜的制备中具有不可替代的优势，而且在制备低维结构材料（纳米颗粒、量子点等）方面也得到了运用。 脉冲激光沉积概述 PLD是20世纪80年代后期发展起来的新型薄膜制备技术，典型的PLD装置如图3-1所示。一束激光经透镜聚焦后投射到靶上，使被照射区域的物质烧蚀（ablation），烧蚀物（ablated materials）择优沿着靶的法线方向传输，形成一个看起来象羽毛状的发光团──羽辉（plume），最后烧蚀物沉积到前方的衬底上形成一层薄膜。在沉积的过程中，通常在真空腔中充入一定压强的某种气体，如淀积氧化物时往往充入氧气，以改善薄膜的性能。 PLD技术的起始想法来自上世纪60年代中期即世界第一台激光器问世不久对激光与物质相互作用的研究，由于发现强激光能将固态物质熔化并蒸发，人们于是想到将蒸发物沉积在基片上以获得薄膜。由于当时材料研究水平和激光器性能的限制，PLD技术在80年代末以前并没有受到广泛关注，但也在制备诸如电介质、半导体薄膜等方面摸索了一定的经验。 PLD技术的每一次发展都伴随着新型激光器的产生和研究激光与物质相互作用的进展。二十世纪70年代起，短脉冲Q开关激光器出现，其瞬时功率可达到106 W以上，可以用于复合成分薄膜的沉积，这为PLD的广泛应用奠定了基础[1]。1987年，D. Dijkkamp等人[2]应用高能准分子脉冲激光成功地制备出高质量的高温超导YBa2Cu3O7-x薄膜。随后，PLD技术又被用于制备日益重要的微电子和光电子领域用的多元氧化物，也被用于制备氮化物、碳化物、硅化物以及一些有机物，甚至有机-无机复合材料薄膜等广泛领域；在制备一些难以合成的材料，如金刚石薄膜、立方氮化碳薄膜，PLD技术也取得了很大进展[3,4]；PLD还扩展到了制备纳米颗粒和半导体量子点等其它领域[5,6]。同时，PLD制备薄膜的机制也得到广泛的研究，许多提高PLD薄膜质量的技术得到了发展和运用。如近年来人们发展了一种基本原理与PLD类似，但可在薄膜生长过程中进行单原子层水平监测与控制的基础上实现单原子层生长的激光分子束外延（L-MBE）技术。 二十几年来，PLD技术已成为制备用于研发下一代应用的多种具有潜力的薄膜材料普遍采用的沉积技术之一。该种技术工艺简单、灵活多变，其适用范围相当广泛，几乎所有薄膜材料，从简单金属到二元化合物到多组分的高质量单晶体，均可以用PLD来沉积，覆盖了绝缘体、半导体、金属、有机物，甚至生物材料。很少有一种材料合成技术可以如此快速而又广泛地渗入研究和应用领域，其商业应用的目标已被提上日程。目前，PLD仍然是方兴未艾的薄膜制备技术，今后发展的主要方向，一是PLD技术本身朝着超短脉冲、更高峰值、多脉冲发展；二是与其它技术相结合，如上文提到的激光分子束外延技术（L-MBE）、与真空弧沉积技术结合的脉冲激光真空弧沉积技术等。 同其它制膜技术相比，PLD具有如下优点：1）采用高光子能量和高能量密度的紫外脉冲激光作为产生等离子体的能源，因而无污染又易于控制；2）烧蚀物粒子能量高，可精确控制化学计量 PLD的基本原理 PLD是一种真空物理沉积方法，当一束强的脉冲激光照射到靶材上时，靶表面材料就会被激光所加热、熔化、气化直至变为等离子体，然后等离子体（通常是在气氛气体中）从靶向衬底传输，最后输运到衬底上的烧蚀物在衬底上凝聚、成核至形成薄膜。因此，整个PLD过程可分为三个阶段：（1）激光与靶的作用阶段，（2）烧蚀物（在气氛气体中）的传输阶段，以及（3）到达衬底上的烧蚀物在衬底上的成膜阶段。 5.2.1 激光与靶的相互作用 激光与靶的作用决定了烧蚀物的组成、产率、速度和空间分布，而这些直接影响和决定着薄膜的组分、结构及性能。PLD拥有一些重要的特点，如能保持靶膜成分一致，烧蚀物呈现cosnθ形式的空间分布，烧蚀物有很高的离子和原子能量等都是激光与靶作用的结果。特别重要的是，限制PLD方法应用的颗粒物问题也是由于激光与靶作用导致的。因此，研究激光与靶的作用对于提高薄膜质量，特别是减少甚至完全消除薄膜中的颗粒物具有重要的意义。 A. 固态靶 B. 熔化的液态层 C. 气态和等离子体层 D. 膨胀后的等离子体 当激光辐射在不透明的凝聚态物质上被吸收时，被照射表面的一个薄层被加热，结果使表面温度升高，同时对物质的内层进行热传导，使