高电压技术,第一篇第345节.pptVIP

在电场作用下，正离子向阴极运动，由于它的平均自由行程长度较短，不易积累动能，所以很难使气体分子发生碰撞电离。 但当正离子撞击阴极表面时却有可能引起表面电离而拉出电子，部分电子和正离子复合，其余部分则向着阳极运动和形成新的电子崩。 1.4 起始电压和气压的关系 根据自持放电条件，导出击穿电压的表达式 1.4 起始电压和气压的关系 均匀电场中几种气体击穿电压Ub与pd的关系 巴申定律 巴申定律 由巴申曲线可知，当极间距离d不变时提高气压或降低气压到真空，都可以提高气隙的击穿电压，这一概念具有十分重要的实用意义。 高气压、高真空都可以提高击穿电压，工程上已得到广泛应用（如：压缩空气开关、真空开关等） 汤逊理论的适用范围 汤逊理论是在低气压pd较小条件下建立起来的， pd过大，汤逊理论就不再适用 pd过大时（气压高、距离大）汤逊理论无法解释： 放电时间：很短 放电外形：具有分支的细通道 击穿电压：与理论计算不一致 阴极材料：无关 汤逊理论适用于pd26.66kPa ·cm 1.5 气体放电的流注理论 3.2.1 空间电荷对电场的畸变 3.2.2 高气压下均匀电场自持放电的流注理论 3.2.3 流注理论对放电现象的解释 流注理论 1.5.1 空间电荷对电场的畸变 电子崩头部聚集大部分正离子和全部电子，产生了电场畸变； 在电场很小的区域，电子和离子浓度最大，有利于完成复合； 强烈的复合辐射出许多光子，成为引发新的空间光电离辐射源。 1.5.1 空间电荷对电场的畸变 1.5.2 高气压下均匀电场自持放电的流注理论 （三）流注的形成和发展示意图 1.5.2 高气压下均匀电场自持放电的流注理论 初始电子崩（电子崩头部电子数达到一定数量） →电场畸变和加强； →电子崩头部正负空间电荷复合； →放射大量光子； →光电离； →崩头处二次电子（光电子）； →（向正空间电荷区运动）碰撞游离； →二次电子崩； →（二次电子崩电子跑到初崩正空间电荷区域）流注 。 （四）流注条件 形成流注的必要条件是： 电子崩发展到足够的程度后，电子崩中的空间电荷足以使原电场明显畸变，大大加强电子崩崩头和崩尾处的电场； 电子崩中电荷密度很大，所以复合频繁，放射出的光子在这部分很强，电场区很容易成为引发新的空间光电离的辐射源，二次电子主要来源于空间光电离； 气隙中一旦形成流注，放电就可由空间光电离自行维持。 1.5.3 流注理论对放电现象的解释 放电时间 二次崩的起始电子是光子形成的，而光子以光速传播，所以流注发展非常快。 小 结 1.汤逊理论只适用于pd值较小的范围，流注理论只适用于pd值较大的范围，二者过渡值为pd=26.66kPa·cm； (1)汤逊理论的基本观点： 电子碰撞电离是气体放电时电流倍增的主要过程，而阴极表面的电子发射是维持放电的必要条件。 (2)流注理论的基本观点： 以汤逊理论的碰撞电离为基础，强调空间电荷对电场的畸变作用，着重于用气体空间光电离来解释气体放电通道的发展过程； 放电从起始到击穿并非碰撞电离连续量变的过程，当初始电子崩中离子数达108以上时，引起空间光电离质变，电子崩汇合成流注； 流注一旦形成，放电转入自持。 小 结 引起气体放电的外部原因有两个，其一是电场作用，其二是外电离因素。 把去掉外界因素作用后，放电立即停止的放电形式称为非自持放电；把由电场作用就能维持的放电称为自持放电。 流注自持放电条件： 或 初崩头部电子数要达到108时，放电才能转为自持，出现流注。 放电外形 二次崩的发展具有不同的方位，所以流注的推进不可能均匀，而且具有分支。 阴极材料 大气条件下的气体放电不依赖阴极表面电离，而是靠空间光电离产生电子维持，因此与阴极材料无关。 3. 汤逊理论和流注理论自持放电条件的比较 (1)汤逊理论：自持放电由阴极过程来维持； 流注理论：依赖于空间光电离。 (2) γ系数的物理意义不同。 * * * * 第三节 自持放电条件 自持放电的形成 自持放电的条件 自持放电的物理含义 如上节图1-3所示，当气隙电压大于 时，电流 随电压 的增大不再遵循 的规律，而是更快一些，这时又出现了促进放电的新因素，这就是受正离子的影响。 如果电压足够大，初始电子崩中的正离子在阴极上产生出来的新电子等于或大于 ，即使除去外界电离因子的作用，放电也不会停止。这就变成了自持放电。 二 自持放电的条件 由自持放电的概念出发，可推出当满足以下条件时，会发生自持放电： (1-8) ：一个正离子撞击到阴极表面时产生出来的二次电子数 ：电子碰撞电离系数 ：两极板距离 三 自持放电的物理含义 如果它等于1，就意味着那个初始电子有一个后继电子，放电得以自持。