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电子技术基期末试卷
《电子技术基础》期末考试试题
班级： 姓名： 成绩：
选择题（每题3分，共30分）
1.在纯净半导体中掺入微量3价元素形成的是（ ）型半导体。
A.P B.N
C.PN D.电子导电
2.在P型半导体中，多数载流子是（ ）。
A.空穴 B.电子
C.电子空穴对 D.原子核
3.晶体二极管内部是由（ ）所构成。
A.一个PN结 B.两个PN结
C.两块N型半导体 D.两块P型半导体
4.硅二极管的死区电压为（ ），导通电压为（ ）。
A.0.2V B.0.3V
C.0.5V D.0.7V
5.二极管的伏安特性曲线反映的是二极管（ ）的关系曲线。
A.VD-ID B.VD-rD
C.ID-rD D.f-ID
6.锗二极管的死区电压为（ ），导通电压为（ ）。
A.0.2V B.0.3V
C.0.5V D.0.7V
7.单相半波整流电路的变压器二次侧电压为10V，其负载上的直流电压为（ ）））
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