硅基材料应用-深圳大学材料学院.DOCVIP

附件四 深圳大学课程教学大纲 课程编号: 课程名称:硅基材料应用__ 开课院系: 材料学院 制订(修订)人: 刘新科 审核人: 批准人： 2015 年 4 月 14 日制(修)订 课程名称: 硅基材料应用 英文名称: Silicon-based materials and applications 总 学 时: 36 其中:实验（实践）课 0 学时 学 分: 2 先修课程: 大学物理或同等课程 教 材: 《Silicon VLSI Technology》 参考教材: 《Introduction to Microelectronic Fabrication: Volume 5 of Modular Series on Solid State Devices》 授课对象: 全校在校本科生 课程性质: □综合必修 □专业必修 □专业选修 □全校公选 教学目标:（学生通过学习该课程后，在知识和能力等方面应达到的目标。） 课程简介:(300字左右,介绍课程的主要内容,学习本课程的意义,课程在人才培养方案中的地位及作用，课程重点、难点及教学方法的特色等。) 本门课程介绍硅基半导体工艺技术。主要工艺技术包括现代CMOS的工艺技术，硅晶体的材料生长，杂质扩散，氧化工艺，离子注入，光刻，薄膜沉积 周学时 主要教学内容 要求 第1周 2 CH1:现代硅基CMOS的发展历史：Moore’s law, 国际半导体发展宏图，微电子的制备的基本流程。 了解 第2周 2 CH2:硅基半导体晶圆的制备方法： 了解 第3周 2 CH3:杂质扩散：N-type,P-type 掌握 第4周 2 CH4:氧化工艺:干法和湿法氧化（1） 掌握 第5周 2 CH4:氧化工艺:干法和湿法氧化（2） 掌握 第6周 2 CH5:离子注入 掌握 第7周 2 CH6:光刻:物理原理 掌握 第8周 2 CH6:光刻:工艺技术 掌握 第9周 2 CH7:薄膜沉积沉积 第10周 2 CH7:薄膜沉积沉积 第11周 2 CH8:材料刻蚀：干法/湿法原理 （1） 掌握 第12周 2 CH8:材料刻蚀：干法/湿法原理（2） 掌握 第13周 2 CH9:真空技术 理解 第14周 2 CH10:等离子技术 理解 第15周 2 CH11:后道工艺技术 理解 第16周 2 CH12:异质结和电容结构的制备 掌握 第17周 2 CH13讨论课：新型工艺的出现 了解 第18周 2 复习 学时分配：（请填写下表） 章节 主要内容 各教学环节学时分配 备注 讲授 实验 讨论 习题 小计 CH1-CH12 半导体工艺和器件 CH13 新型工艺的出现 考试与成绩评定方式：（明确考试形式和平时成绩、期末考试成绩所占比例） 期中考试：25% 讨论课成绩：25% 期末成绩：50%