3.5MOS逻辑门.ppt

3.3.1 MOS场效应管 3.3.4 CMOS逻辑门 3.34 CMOS逻辑门 3.3.5 CMOS电路使用常识 ● ● TN2 TP2 TP1 TN1 ● ● ● ● A CMOS或非门 VDD B ● ● F 3．CMOS或非门 A B F 0 0 0 1 0 1 1 1 0 0 0 5. CMOS三态门 高电平 低电平 高阻抗 （a） 1 〇 F EN A EN CMOS三态门电路及逻辑符号 （b） 1 〇 F EN A EN 4.漏极开路的CMOS门电路（OD门） OPEN DRAIN 6．CMOS传输门 vO/ vi vi/vO C C TG 〇 C=0,C=1,vi=(0~VDD) 输出与输入之间呈现高阻 传输门截止 C=1,C=0,vi=(0~VDD) 输出与输入之间呈现低阻 传输门导通 3.4.4 TTL集电极开路门和三态门 1、集电极开路门—OC门（Open Collector Gate） ? 线与 VCC AB AB F RL F1 F2 F=F1.F2 2、 三态TTL与非门（TSL） +5V F R4 R2 R1 T2 R5 R3 T3 T4 T1 T5 A B D E E---控制端 高电平 低电平 高阻抗状态 1 截止 +5V F R4 R2 R1 T2 R5 R3 T3 T4 T1 T5 A B D E 0 导通 1 EN = 0 EN = 功能表 高电平有效 A B F EN 符号 EN A B F EN EN 低电平有效 E1 E2 E3 公用总线 ０ １ ０ 三态门主要作为TTL电路与总线间的接口电路 用途： E1、E2、E3分时接入高电平 EN D0 F EN A B D1 EN 总线 3.3 MOS逻辑门（Metal Oxide Semiconductor） 以 金属—氧化物—半导体场效应管为基本 元件的集成门电路 3.3.1 MOS效应管 MOS管 PMOS管 NMOS管 增强型 耗尽型 增强型 耗尽型 3.3.2 MOS管开关特性 1. NMOS反相器 ● vo vi T1 T2 ● ● VDD 高电平 始终导通 截止 低电平 高电平 导通 低电平 3.3.3 NMOS逻辑门 2. NMOS其他逻辑门 1 、CMOS非门 NMOS管 PMOS管 CMOS电路 CMOS管： 由一对PMOS管和NMOS管构成。 由于其性能优越，应用领域十分广阔 UCC S TP D TN A F CMOS传输门 CMOS传输门及其逻辑符号 vO/ vi vi/vO C C TG 〇 vO/ vi C ● ● TN TP VDD vi/vO C C=1时,传输门导通 C=0时,传输门截止 例 写出F的逻辑表达式 B=0，F=0 1 1 1 0 0 1 0 1 0 0 0 0 F B A F B=1，F=A?B=A TG A 1 =1 B 1 R F=AB (1)电压传输特性 CMOS电路的电气特性 CMOS反相器的电压传输特性 * 3.4.2 TTL与非门电路 3.4.3TTL与非门的主要参数 1 、 电路结构 2 、 工作原理(一般了解) 1、电压传输特性 2、输入输出高、低电平 （1）输出高电平UOH ：3.6V min 2.4V （2）输出低电平UOL ：0.3V max 0.4V （3）输入高电平UIH ： 3.6V min 1.8V Uon （4）输入低电平UIL ： 0.3V max 0.8V Uoff 3、噪声容限 低电平噪声容限为：UNL=Uoff－UIL 高电平噪声容限为：UNH=UIH－Uon 4、输入端负载特性 Ri Ui Ri Ron ，与非门导通，输出低电平 Ron：开门电阻 Ron的典型值为1.8k? RiRoff，与非门截止，输出高电平 Roff：关门电阻 Roff的典型值为0.8k? 5、负载能力(难点、必须重点掌握) （1）输入低电平电流IIL IILmax=1.6mA （2）输出低电平电流IOL IOLmax=16mA 1 IIL IOL = N IOL（max）/ IIL （3）输入高电平电流IIH IIHmax= 40uA （4）输出高电平电流IOH IOHmax= 0.4