《微电子器件及IC设计》第二章.pptVIP

* * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * 由合金结法工艺讲起 特点： P区 N区内部杂质浓度分布均匀 交界处杂质类型突变 3. 特殊情况 P＋N N＋P * 由扩散法工艺讲起 特点： P区 N区内部杂质浓度分布不均匀，交界处有效杂质浓度最低 PN结附近杂种类型从一种类型缓慢变化(常按照一定的函数规律)为另一种类型 * 缓变PN结附近杂质浓度的两种近似处理方法 * N(X)0 : N区 N(X)0 : P区 * * * * * * * * * * * * * * V 0 * * （1）空穴扩散电流 P区空穴扩散到N区，边扩散边复合 P区体内的空穴向PN结边界扩散补充扩散到N区的空穴 N区体内的电子向PN结扩散补充复合掉的电子 （同时外电路补充） （2） 电子扩散电流 同理 * * * V 0 * * * * * 2.2.2、反向PN结 (2)反向PN结中载流子的运动 P区 N区 jp jn Ln Lp （1）在势垒区旁，n区边缘的空穴，被势垒区强大电场扫向p区。边缘空穴缺少，N区内部空穴扩散过来，这些空来源于热激发。 为了维持电流连续性，电子向电极运动 （